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S掺杂二维SnSe的制备及其在忆阻器中的应用.pdf

S掺杂二维SnSe的制备及其在忆阻器中的应用.pdf

    摘要

    随着摩尔定律越来越接近电子器件集成的物理极限，传统的冯·诺伊曼架构难以满足日

    益增长的算力需求，计算机存储与计算之间的“存储墙”问题严重阻碍了计算速度的进一步

    发展。忆阻器的出现为解决该问题提供了有效方案。忆阻器具有独特的非线性电阻，特别是

    纳米尺寸的忆阻器能够实现大规模集成、运算以及模拟神经运算。作为二维忆阻器的功能材

    料，二维材料本身的性能直接影响忆阻器的电学特性，因此研究人员不断地开发、优化新的

    二维材料应用于忆阻器。SnSe作为一种过度金属卤族化合物有着独特的结构和物理化学性

    质，

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