CN114725096A 半导体构造及制作方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114725096A(43)申请公布日2022.07.08

(21)申请号202210253224.8

(22)申请日2022.03.15

(30)优先权数据

63/163,4942021.03.19US

17/336,4692021.06.02US

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力

行六路八号

(72)发明人彭士玮曾健庭

(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243

专利代理师王素琴

(51)Int.CI.

HO1L27/092(2006.01)

HO1L21/8238(2006.01)

权利要求书2页说明书15页附图20页

(54)发明名称

半导体构造及制作方法

(57)摘要

CN114725096A一种形成半导体构造的方法包括在半导体层之上形成第一源极垫。形成与第一源极垫接触的第一纳米片材。形成与第一纳米片材相邻的栅极垫。形成位于栅极垫之上且与第一纳米片材接触的第一漏极垫。在栅极垫及第一源极垫下方形

CN114725096A

CN114725