矽塔-SA8338-CN-V2.0-单通道 2.0-16.0V 持续电流 5.5A H 桥驱动芯片-封装SOP8.pdfVIP

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  • 2026-02-02 发布于广东
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矽塔-SA8338-CN-V2.0-单通道 2.0-16.0V 持续电流 5.5A H 桥驱动芯片-封装SOP8.pdf

SA8338

单通道2.0-16.0V持续电流5.5AH桥驱动芯片

描述特性

SA8338是为多节电池供电系统而设计的⚫工作电压范围:2.0-16.0V

单通道低导通电阻直流电机驱动集成电⚫持续电流:5.5A,峰值:11.0A

路。集成了电机正转/反转/停止/刹车功能。⚫低导通电阻:45mΩ(HS+LS)

⚫支持PWM控制

SA8338内置过流和输出短路保护功能,⚫集成电源欠压保护

当通过MOS电流超过限定值时,内部电路⚫集成过流保护

关断MOS功率管,切断负载电流。当电流⚫集成短路保护

下降到设定值会自动回复,开启MOS功率⚫集成过温保护

管。⚫低待机电流

⚫低工作电流

SA8338内置温度保护功能,当芯片温度⚫SOP8封装

超过内部温度保护电路设置得最高温度点

后,内部电路关断内置的功率开关管,切典型应用

断负载电流。

⚫高级机器人的马达驱动

SA8338具有一个PWM(INA/INB)输入⚫数码产品的马达驱动

接口,支持与行业标准器件兼容。⚫工业产品的马达驱动

⚫电子锁马达驱动

SA8338封装和简单应用电路

订购信息

型号封装数量工作环境温度

SA8338SOP84000-40~85゜C

-1-V2.0

SA8338

单通道2.0-16.0V持续电流5.5AH桥驱动芯片

应用参考电路

芯片使用注意事项:

1.以上推荐电路及参数仅适用于普通直流电机驱动,在使用SA8338时请根据实际情况来使用。

2.SA8338功率电源端附近的电容C必须就近连接在芯片电源VM和芯片地GND之间,否则容易造成电

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路击穿;图中给出的电容值为参考值。

3.SA8338功率电源端附近的去耦合电容C必须就近连接在芯片电源VM和芯片地GND之间,否则容易

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造成电路击穿;功率电源对地去耦电容容质可根据电机适当调整,图中给出的电容值为参考值。

4.OUTA与OUTB端连接的电容C为去耦合电容,该电容可有效改善因电机快速正、反转切换而引起

2

的电压尖峰击穿输出端口问题。

5.R为采样电阻,根据实际应用增加,建议采样电阻小于50mΩ,同时一定需要增加去耦合电容C;

S1

当不需要采样电阻时,GND直接连接到地。

6.SA8338采用MOS工艺设计制

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