摘要
薄膜电阻器件因其卓越的物理和电学性能在小到日常电子设备,大到航空航
天等领域的电力电子系统中有着广泛的应用。随着电子信息技术的飞快发展,模
拟集成电路正朝着高精度,高稳定性和高可靠性的方向发展,迫切需求高稳定性、
低电阻偏差、低电阻变化率、低电阻电压系数、低电阻温度系数(TCR,Temperature
coefficientofresistance)的高精度薄膜电阻器件。铬硅镍钼(Cr-Si-Ni-Mo)薄膜
因其低TCR、熔点高、热稳定性强和耐腐蚀等特性已成为薄膜电阻器研究热点。
针对传
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