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硅VDMOS辐照特性：机理、模型与多元应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力电子领域，硅垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）凭借其独特的优势占据着极为重要的地位。它具有高开关速度，能够快速实现电路的导通与关断，满足了诸如开关电源、DC-DC转换器等对快速切换需求较高的应用场景，极大地提高了电源转换效率，减少了能量损耗。高耐压特性使得它可以在高电压环境下稳定工作，广泛应用于工业驱动器、UPS电源等领域，保障了电力系统的可靠运行。低导通电阻有效降低了通态功耗，提高了系统的整体能效，在汽车电子的车载充电器、照明系统等应用中发挥着关键作用。此外，其宽安全工作区和良好的热稳