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TSV等效电参数分析与电路建模.pdf

第42卷第9期微电子学与计算机Vol.42No.9

2025年9月MICROELECTRONICSCOMPUTERSeptember2025

引用格式：李康荣，杨巧，匡乃亮，等。TSV等效电参数分析与电路建模[J].微电子学与计算机,2025,42(9)：154-162.

LIKR,YANGQ,KUANGNL,etal.EquivalentcircuitanalysisandmodelingonTSV[J].MicroelectronicsComputer,2025,

42(9):154-162.

D0I:10.19304/J.ISSN1000-7180.2024.0485

TSV等效电参数分析与电路建模

李康荣，杨巧，匡乃亮，刘宗溪

（西安微电子技术研究所，陕西西安710054）

摘要：针对三维封装中与传输线连接的复杂硅通孔（ThroughSiliconVia,TSV互连结构，利用准静态电磁场仿真

工具，重点分析了TSV回路的寄生电感-电容（LC)与TSV互连物理结构的映射关系，归纳出决定TSV互连寄生

LC数值变化的结构变量。提出了一种面向复杂TSV互连结构的高精度宽频域等效电路建模方法。此方法的实

施基于线性去嵌入概念和准静态电磁场仿真工具的结合，所得的等效电路模型可指导硅基封装设计人员分析

TSV互连的阻抗连续性，以最小的结构修改成本设计出满足信号完整性要求的最优TSV互连结构。

关键词：TSV；等效电路；建模；电学参数；信号完整性

中图分类号：TN401文献标识码：A文章编号：1000-7180(2025)09-0154-09

EquivalentcircuitanalysisandmodelingonTSV

LIKangrong,YANGQiao,KUANGNailiang,LIUZongxi

(XianMicroelectronicsTechnologyInstitute,Xian710029,China)

Abstract:ThecorrelationbetweentheThroughSiliconVia(TSV)interconnectstructureandtheequivalentinductance

andcapacitance(LC)isanalyzedwiththequasi-staticelectromagneticsolver.Accordingtotheanalysis,thestructural

parametersthatdeterminesthevariationoftheequivalentLCaresummarized.Also,anaccurateandwidebandequivalent

circuitmodelingmethodologyforacomplexTsVinterconnectstructureisproposed.Thismodelingmethodologyisderived

fromade-embeddingconceptandbasedonthequasi-staticelectromagneticsolution.Theequivalentcircuitmodelfromthe

proposedmethodologycanprovideguidancetosilicon-packagedesignersforimpedancematchinganalysisofTSV