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- 2026-02-02 发布于上海
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多弧离子镀制备TiN-Cu基高硬度疏水薄膜的工艺与性能研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在材料科学与表面工程领域,薄膜材料凭借其独特的性能优势,在众多工业部门和科学研究中得到了广泛应用。TiN-Cu基薄膜作为一种新型的复合材料,融合了TiN和Cu的优良特性,展现出了极为广阔的应用前景。
TiN薄膜作为一种重要的硬质薄膜涂层材料,是最早实现产业化并广泛应用的薄膜涂层之一。它具备高熔点(高达2930℃),这使得其在高温环境下能够保持稳定的物理和化学性质,适用于高温作业场景;硬度极高,维氏硬度可达2000-2500HV,显微硬度约为21GPa,拥有出色的耐磨性,能有效延长被涂覆部件的使用寿命,降低经济损耗,因此在各种切削工具、轴承和模具的涂覆层中应用广泛,与普通无涂层刀具相比,涂层刀具切削速度可提高25%-70%,加工精度提高0.5-1级,刀具消耗费用减少20%-50%,耐磨性提高2-10倍,使用寿命成倍延长。同时,TiN还具有高温化学稳定性以及优良的导热性能、导电性能、光学性能和生物兼容性等优点,在微电子领域可作为半导体器件电极、缓冲层和阻挡层;在镀膜领域,因其具有与金银等贵金属相似的光学性能,且无毒、价格低廉,成为现代仿金材料的理想选择;在医疗领域,可应用于临床医学和仿生学方面,如在医用金属材料表面沉积TiN陶瓷涂层,能有效提高金属材料的耐腐蚀和生物相容性。
而金属Cu具有良好的导电性和导热性,其电导率高,能够在电子设备中高效传输电流,这一特性使得Cu在电子行业中不可或缺,广泛应用于制造导线、电极等;同时,Cu还具有一定的抗菌性能,在医疗和食品包装等领域具有潜在的应用价值,例如在医院的一些医疗器械表面镀上含Cu的薄膜,可有效抑制细菌滋生,降低感染风险。将Cu与TiN复合形成TiN-Cu基薄膜,有望进一步提升薄膜的综合性能,如在保持TiN高硬度和耐磨性的基础上,利用Cu的导电性改善薄膜的电学性能,利用其抗菌性拓展薄膜在医疗等领域的应用。
多弧离子镀技术是制备TiN-Cu基薄膜的一种常用且重要的方法。该技术是结合了阴极电弧沉积和离子束沉积的表面处理技术,在真空环境中,高能离子束与靶材表面相互作用,使靶材表面的原子或分子获得足够能量脱离靶材表面,并在基材表面沉积形成薄膜。多弧离子镀技术具有沉积速率高的特点,能够快速在基材表面形成薄膜,提高生产效率,降低生产成本;所制备的薄膜质量好,结构致密,与基材的结合力强,能够保证薄膜在使用过程中的稳定性和可靠性;适用范围广,可以在不同材质的基材上沉积薄膜,满足各种不同的应用需求,因此在工业、医疗、光学等众多领域得到广泛应用。采用多弧离子镀技术制备TiN-Cu基薄膜,能够精确控制薄膜的成分和结构,从而实现对薄膜性能的有效调控,对于提升TiN-Cu基薄膜的性能具有重要意义。通过优化多弧离子镀的工艺参数,如弧电流、氮气流量、基体负偏压等,可以获得具有不同性能的TiN-Cu基薄膜,满足不同领域的特殊需求。
1.2国内外研究现状
国内外众多学者对利用多弧离子镀制备TiN-Cu基薄膜展开了深入研究。在国内,宋贵宏等人利用电弧离子镀制备了TiN-Cu纳米复合膜,研究发现沉积膜仅含有TiN相和少量的Ti相,TiN相晶粒尺寸随薄膜Cu含量的增加而逐渐减小。尽管有的沉积膜中Cu原子数分数高达8.99%,但仍未发现金属Cu相或Cu的化合物相衍射峰;沉积膜中Cu元素以金属Cu的状态存在,Ti主要以TiN相存在,少量以金属Ti相存在,且没有Ti?N相;薄膜生长过程中,Cu、Ti和N共沉积并竞争生长,Cu的加入抑制了TiN晶粒的长大;沉积膜的硬度随Cu含量增加而增加,达到最大值后下降,薄膜硬度随Cu含量变化与薄膜中TiN相或Cu相尺寸有关。杨红等人利用多弧离子镀的方法,在不同弧电流和沉积时间下,在不锈钢基体上沉积TiN-Cu复合膜,研究表明复合膜中的Cu含量、沉积条件对薄膜微观结构和硬度有重要影响。金属Cu的加入阻止了TiN柱状晶的生长,改变了纯TiN薄膜的择优取向;当沉积时间为2h,脉冲负偏压为200V时,Cu含量为12.96at%,复合膜硬度达到最大值2976HV。
在国外,也有不少相关研究成果。一些研究聚焦于通过调整多弧离子镀的工艺参数,如改变靶材功率、气体流量比例等,来探究对TiN-Cu基薄膜结构和性能的影响。有研究发现,适当增加Cu靶功率,能够提高薄膜中的Cu含量,进而改变薄膜的电学性能和抗菌性能,但过高的Cu含量可能会导致薄膜硬度下降。还有研究通过优化
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