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自支撑氮化镓衬底欧姆接触：原理、技术与应用突破

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体材料在现代电子学中扮演着至关重要的角色。从早期的锗材料到如今广泛应用的硅基半导体，每一次材料的革新都推动了电子器件性能的大幅提升，引领了信息技术的变革。近年来，以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料凭借其卓越的物理性质，成为了全球半导体领域研究的焦点，开启了半导体技术发展的新篇章。

氮化镓作为一种宽带隙半导体材料，具有一系列优异的特性，使其在众多领域展现出巨大的应用潜力。氮化镓的禁带宽度高达3.4电子伏特（eV），约为硅（1.12eV）的三倍，这一特性赋予了氮化镓器件更高的击穿