CN114520152A 侧面腔体结构的氮化铝多层陶瓷的制作方法 （中国电子科技集团公司第四十三研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114520152A(43)申请公布日2022.05.20

(21)申请号202210017561.7

(22)申请日2022.01.07

(71)申请人中国电子科技集团公司第四十三研究所

地址230088安徽省合肥市高新技术开发

区合欢路19号

(72)发明人王宁张志成高磊计雨辰

(74)专利代理机构合肥天明专利事务所(普通合伙)34115

专利代理师张梦媚

(51Int.CL.

HO1LHO1L

HO1L

21/48(2006.01)

23/04(2006.01)

23/08(2006.01)

权利要求书1页

说明书6页附图2页

(54)发明名称

第二填充件第一填充件防粘处理

第二填充件

第一填充件防粘处理

层压成型

氮化铝生瓷片

防粘膜

金属盖板

第一填充件

烧结

叠片

(57)摘要

CN114520152A本发明公开了一种侧面腔体结构的氮化铝多层陶瓷的制作方法，主要步骤有：将所述氮化铝生瓷片进行叠片，形成层叠体，层叠体中形成有主腔体和侧面腔体，同时，第一填充件填充在所述侧面腔体中，第二填充件填充件填充在所述主腔体中；真空包封后层压成型；去除第一填充件和第二填充件等，最后再烧结获得侧面腔体结构的氮化铝多层陶瓷。该制作方法能够很好的防

CN114520152A

CN114520152A权利要求书1/1页

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1.一种侧面腔体结构的氮化铝多层陶瓷的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

获取第一填充件、第二填充件、防粘膜、若干氮化铝生瓷片和金属盖板；

将所述氮化铝生瓷片进行叠片，形成层叠体，所述层叠体中形成有主腔体和侧面腔体，同时，所述第一填充件填充在所述侧面腔体中，所述第二填充件填充件填充在所述主腔体中；所述层叠体的顶层为所述金属盖板，所述金属盖板开设有空腔，其开腔尺寸与所述主腔体相同，所述金属盖板的上表面与所述第二填充件的上表面齐平；所述防粘膜设于所述金属盖板与所述氮化铝生瓷片之间；

将所述层叠体真空包封后层压成型，获得生瓷坯；

去除所述生瓷坯中的第一填充件、第二填充件、防粘膜和金属盖板；

烧结所述生瓷坯，制得侧面开腔的氮化铝多层陶瓷。

2.如权利要求1所述的侧面腔体结构的氮化铝多层陶瓷的制作方法，其特征在于，所述第一填充件为金属材质且表面进行防粘处理，所述第二填充件为橡胶材质。

3.如权利要求1所述的侧面腔体结构的氮化铝多层陶瓷的制作方法，其特征在于，所述叠片在叠压板上进行，所述叠压板上设有定位销，所述氮化铝生瓷片、第二填充件、防粘膜和金属盖板上设有定位孔，所述定位孔与所述定位销配合。

4.如权利要求1所述的侧面腔体结构的氮化铝多层陶瓷的制作方法，其特征在于，所述金属盖板的厚度在200-400μm之间。

5.如权利要求1所述的侧面腔体结构的氮化铝多层陶瓷的制作方法，其特征在于，所述第二填充件的外形尺寸比所述主腔体的单边尺寸小0.10-0.15mm。

6.如权利要求1所述的侧面腔体结构的氮化铝多层陶瓷的制作方法，其特征在于，所述第一填充件的长度方向L的尺寸与所述侧面腔体相同，其宽度方向W和厚度方向H的尺寸比所述侧面腔体的宽度和高度尺寸分别小0.05mm-0.10mm。

7.如权利要求1所述的侧面腔体结构的氮化铝多层陶瓷的制作方法，其特征在于，所述层压成型采用热等静压成型，所述热等静压成型的预热温度为40-65℃,等静压压力为6MPa-14MPa,保压时间为300-500s。

8.如权利要求1所述的侧面腔体结构的氮化铝多层陶瓷的制作方法，其特征在于，去除所述第一填充件时，于60-70℃预热15-20min后取出。

9.一种侧面腔体结构的氮化铝多层陶瓷，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述的制作方法制得。

CN114520152A说明书1/6页

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侧面腔体结构的氮化铝多层陶瓷的制作方法

技术领域

[0001]本发明属于氮化铝多层陶瓷加工技术领域，特别涉及一种侧面腔体结构的氮化铝多层陶瓷的制作方法。

背景技术

[0002]氮化铝陶瓷具有高热导率，热膨胀系数小的特点，因氮化铝多层陶瓷具有垂直互联特点，缩短信号传输路径，集成度高的优点，被广泛应用于混合集成电路中，尤其是