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耐化学腐蚀高精度压力传感器芯片方案

方案目标与定位

（一）方案目标

本方案聚焦耐化学腐蚀高精度压力传感器芯片研发与产业化，贴合化工、冶金、环保监测、生物医药等场景对强腐蚀介质耐受、长期精度稳定、可靠运行的核心需求，分三阶段推进。短期（1-2年）：突破复合耐蚀技术与MEMS传感融合工艺，完成原型开发，量程0-10MPa、精度±0.005%FS，可耐受酸、碱、盐及有机溶剂腐蚀，适配-40℃至150℃、pH1-14工况，覆盖化工反应釜、环保监测场景；中期（2-3年）：优化耐蚀结构与芯体适配性，降低介质渗透对测量精度的影响，搭建规模化生产线，年产能达200万颗；长期（3-5年）：构建耐化学腐蚀传感知识产权体系，突破极端腐蚀环境自适应防护技术，跻身国内中高端耐蚀压力传感器芯片主流供应商，服务强腐蚀测控领域。

（二）方案定位

1.技术定位：以高精度MEMS硅压阻传感技术与复合耐化学腐蚀模块为核心，融合低噪声信号调理与介质隔离单元，采用“精密芯体+多层耐蚀+介质隔离”一体化设计，解决传统传感器在强腐蚀介质中易老化、渗漏、精度失效的痛点，符合GB/T18488、GJB150A及HG/T20581化工仪表防护标准。2.市场定位：聚焦强腐蚀环境测控装备配套市场，优先覆盖化工企业、环保监测设备厂商、生物医药制造商，逐步拓展冶金、电镀领域，填补国内集成高效耐蚀功能高精度压力传感器芯片自主化空白。3.战略定位：依托强腐蚀防护场景创新，推动芯片向“高等级耐蚀+极致精度+长效可靠”升级，为强腐蚀介质测控场景提供核心支撑，延长设备使用寿命，满足高端化工、环保装备对严苛环境适配的需求。

方案内容体系

（一）核心技术体系

1.耐化学腐蚀核心技术：采用多层复合防护结构，内层硅基钝化处理隔绝介质渗透，中层聚四氟乙烯（PTFE）涂层增强耐蚀性，外层哈氏合金密封外壳，可耐受浓度≤98%硫酸、≤50%氢氧化钠、各类有机溶剂及盐溶液腐蚀；集成介质隔离膜片，避免腐蚀介质直接接触芯体，防护成功率100%。2.高精度集成技术：选用高稳定性MEMS硅压阻芯体，搭配低噪声仪表放大器与温度补偿电路，芯体满量程输出0.5-2mV，经调理后稳定输出标准信号，检出限0.0001MPa；集成温漂与介质腐蚀耦合校准算法，非线性误差≤±0.005%FS，长期稳定性≤±0.001%FS/年。3.适配技术设计：支持3.3V-24V宽电压供电，工作功耗≤1.5mA，静态功耗≤0.3mA；集成过压、欠压保护功能（欠压阈值2.8V±0.1V），采用密封封装，兼容4-20mA/RS485输出接口，适配多介质腐蚀场景测控需求。

（二）产品规格参数

量程覆盖0-1MPa至0-10MPa（支持定制），精度等级±0.005%FS；耐蚀性能：可耐受pH1-14介质、浓度≤98%硫酸、≤50%氢氧化钠、有机溶剂及盐溶液，复合防护结构（钝化层+PTFE涂层+哈氏合金外壳），介质隔离膜片材质为蒙乃尔合金；电气保护：输入电压3.3V-24V，欠压阈值2.8V±0.1V、过压保护阈值28V±1V，响应时间≤10μs；全温域（-40℃至150℃）温漂≤0.00005%FS/℃，年漂移≤0.001%FS；响应时间≤0.05ms，重复性误差≤±0.002%FS，滞后误差≤±0.003%FS；抗振10-2000Hz（15g）、抗冲击1000g（1ms），密封泄漏率≤1×10?12Pa·m3/s；连续耐蚀工作时长≥5000小时，工作寿命≥150000小时；EMC符合GB/T21437标准；信号输出含4-20mA模拟量与RS485数字量，封装尺寸3.2mm×3.2mm×2.2mm，重量≤3.5g，适配强腐蚀场景。

（三）上下游协同体系

上游：与高稳定性MEMS硅片厂商、耐蚀材料供应商、精密密封厂商合作，保障硅片稳定性≤±0.001%FS/年、PTFE涂层耐蚀时长≥5000小时及外壳密封性能；对接供应商定制腐蚀测试设备、MEMS精密工艺设备、高精度压力校准仪（精度±0.0005%FS）。中游：搭建一体化生产线，自主掌控MEMS芯体制造、耐蚀模块集成、校准算法烧录、精度校准等核心工序，执行ISO9001与ISO14001体系，落实全检与批次溯源，确保耐蚀性能与测量精度一致性。下游：与化工、环保企业联合开发，提供定制化耐蚀方案，参与强腐蚀环境测控装备定型测试，构建“芯片-模块-耐蚀测控系统”协同体系，纳入军工、化工合格供应商名录。

实施方式与方法

（一）研发实施路径

1.预研阶段（1-6个月）：组建专项团队，调研强腐蚀场景需求与精度标准，完成芯片方案设计及耐蚀-传感集成仿真；对接检测机构明确耐蚀性能指标与行业标准，申请发明专利3-5项；筛选供应