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数字后端工程师招聘笔试题及解答2025年

一、单选题（每题2分，共20分）

1.在28nm工艺下，若某条时钟树综合后全局时钟网络总长度从12mm降至8mm，仅考虑线长对动态功耗的影响，在相同翻转率与负载电容条件下，动态功耗下降比例最接近

A.15%?B.25%?C.33%?D.50%

答案：C

2.使用Innovus进行postroute优化时，以下哪条Tcl命令可强制工具在holdfixing阶段仅使用尺寸为X1、X2、X4的缓冲器，而禁用X8及以上？

A.setDontUse/BUFFX8/BUFFX16true

B.setOptModeholdUseSizeLimit{124}

C.setBufSizeLimitholdmax4

D.setOptModenoUseBufSize8

答案：A

3.在16nmFinFET工艺中，若Vth降低50mV，在室温下亚阈值漏电流理论变化倍率约为（n=1.4）

A.1.8×?B.3.3×?C.5.7×?D.11×

答案：C

4.某设计在signoffSTA时发现一条路径Slack=121ps，路径上存在一条金属8层长距离跳线，若将该跳线从宽度0.045μm改为0.09μm，其他条件不变，则RC延迟变化趋势为（金属8厚度0.7μm，间距0.06μm）

A.延迟减少约18ps?B.延迟减少约35ps?C.延迟增加约8ps?D.几乎不变

答案：A

5.在PowerDomainCrossing检查中，以下哪条UPF3.0指令可声明“当PD1断电时，PD2向其输出的信号必须保持”

A.set_retentiondomainPD2elements{sig}

B.set_isolationdomainPD1elements{sig}clamp_value1

C.set_isolationdomainPD2elements{sig}sourcePD1clamp_valueany

D.set_port_attributesports{sig}receiver_supplyPD2

答案：C

6.使用CalibrePERC进行EOS（ElectricalOverStress）检查时，以下哪种拓扑最容易被判定为违例

A.1.0VGPIO驱动1.8V薄氧器件，串联200Ω电阻

B.1.8VGPIO直接驱动1.0V薄氧器件

C.1.8VGPIO驱动1.8V厚氧器件，走线长800μm

D.1.0VGPIO驱动1.0V薄氧器件，走线长200μm

答案：B

7.在FusionCompiler中执行“refinePlacehigh_effort”后，以下哪项指标通常不会出现显著改善

A.WNS?B.TNS?C.总线长?D.拥塞峰值

答案：D

8.若某宏单元（HardMacro）内部已集成levelshifter，但顶层UPF仍重复实例化levelshifter，最可能导致

A.功能错误?B.静态功耗增加?C.动态功耗降低?D.面积减少

答案：B

9.在28nm工艺下，采用双层曝光（LELE）时，以下哪层最可能被标记为ColorA/ColorB

A.AA?B.Poly?C.M1?D.M4

答案：D

10.在EMIR分析中，若某电源条（Stripe）平均电流密度为0.98mA/μm，工艺EM限值为1mA/μm，温度为125°C，则其预计寿命相对于限值条件

A.增加约20%?B.减少约30%?C.减少约50%?D.几乎不变

答案：C

二、多选题（每题3分，共15分，多选少选均不得分）

11.下列哪些做法可有效降低时钟树插入延迟（InsertionDelay）

A.在时钟根附近插入高频Htree

B.使用高驱动时钟缓冲器（CLKBUFX20）

C.提高时钟网络金属层至最高层

D.在时钟路径上插入ClockGate并禁用ICG

答案：ABC

12.关于OCV（OnChipVariation）与AOCV（AdvancedOCV），下列说法正确的是

A.AOCV表格深度越深，derate值越接近1

B.OCV在路径深度100级时比AOCV更悲观

C.在相同路径深度下，AOCV对latedelay的derate通常小于OCV

D.16nm以下工艺推荐使用POC