氧化镓晶体掺杂调控与电学性能优化的深度剖析.docx

氧化镓晶体掺杂调控与电学性能优化的深度剖析

一、引言

1.1氧化镓晶体研究背景

在半导体材料的漫长发展历程中，每一代新材料的涌现都为电子技术的革新带来了强大的驱动力。从最初以硅（Si）、锗（Ge）为代表的第一代半导体材料，凭借其优良的电学性能和易于加工的特点，构建起现代半导体产业的基石，广泛应用于各类集成电路与电子器件中。到第二代以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表的化合物半导体材料，凭借高电子迁移率等特性，在光电子和微波领域大放异彩，推动了光通信和移动通信产业的快速发展。再到第三代以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体材料，因其具备高击穿电场、高热导率等优异性能