CN114188400B 一种NPN功率SiGe双极晶体管及其制作方法 （西安建筑科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114188400B(45)授权公告日2024.12.06

(21)申请号202111492685.2

(22)申请日2021.12.08

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114188400A

(43)申请公布日2022.03.15

(73)专利权人西安建筑科技大学

地址710055陕西省西安市碑林区雁塔路

中段13号

H01L29/73(2006.01)

H01L21/331(2006.01)

(56)对比文件

CN108520896A,2018.09.11CN108630748A,2018.10.09审查员孙程程

(72)发明人樊庆扬刘恒

高恒

卫铭斐李屹爽

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

专利代理师侯琼王品华

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图2页

(54)发明名称

一种NPN功率SiGe双极晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN114188400B本发明公开了一种NPN功率SiGe双极晶体管及其制作方法，主要解决传统双极晶体管击穿电压不高、耐压值低且制作工艺复杂的问题。方案为：双极晶体管器件自下而上包括衬底(1)、漂移区(2)、圆筒状外延层(3),圆筒内漂移区上为重掺杂集电区(4)、孔径层(5)和电流阻挡层(6)、基极接触区(7)、基区(8)以及发射区(9);首先在N型SiGe衬底上外延N型SiGe半导体材料形成漂移层，然后在其上通过化学气相垫积形成外延层，再采用离子注入形成重掺杂集电区，外延N型SiGe半导体材料形成孔径层并利用掩膜在其左右两侧制作电流阻挡层，最后在基极接触区通过注入不同离子形成基区与发射区，在其上表面制作电极并使用等离子体增强化学气相沉淀技术形成保护层，得到SiGe双极晶体管。本发明能够

CN114188400B

CN114188400B权利要求书1/2页

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1.一种NPN功率SiGe双极晶体管，其特征在于：自下而上包括N+型SiGe衬底(1)、N-型SiGe漂移区(2)和圆筒状重掺杂集电区(3);

所述重掺杂集电区(3)的圆筒内N-型SiGe漂移区(2)上形成外延层(4),外延层(4)上生成孔径层(5)和对称分布在孔径层(5)两侧的电流阻挡层(6);

所述孔径层(5)和电流阻挡层(6)上表面形成嵌入在重掺杂集电区(3)圆筒内部的基极接触区(7),基极接触区(7)中包含P型基区(8)和SiGe沟槽；

所述P型基区(8)为圆柱形，其中包含圆环状的N+发射区(9);且在双极型器件的基区(8)和发射区(9)植入了SiGe应力源，用于对发射区和基区施加单轴压应力；

所述SiGe沟槽与N发射区(9)结深相同。

2.如权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于：所述在双极型器件的基区(8)和发射区(9)植入SiGe应力源，是通过刻蚀并淀积SiGe材料实现；对发射区和基区施加单轴压应力目的是改变器件的能带结构，增强载流子的迁移率，提高器件的特征频率，同时减小器件的

面积。

3.如权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，所述衬底的电阻率为p=0.0045hm·cm;所述外延层的电阻率为p=100hm·cm,厚度为10~20um。

4.如权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于：所述重掺杂集电区(3)的掺杂深度小于发射极-基极p-n结区的深度。

5.如权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于：所述基极接触区(7)嵌入外延层中的深度h≥1μm。

6.根据权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于：所述基区(8)与基极接触区(7)电接触，所述重掺杂集电区(3)与漂移区(2)电接触。

7.根据权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，所述外延层(4)中的掺杂浓度为1×101?cm?3~1×1011cm?3,基极接触区(7)的掺杂浓度为1×1012cm3~1×1013cm3,重掺杂集电极区(3)的掺杂浓度为1×101?cm3~1×101?cm3。

8.一种NPN功率SiGe双极晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在N型SiGe衬底(