CN114187614A 一种指纹识别装置及其制作方法与识别方法 （上海奕瑞光电子科技股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114187614A

(43)申请公布日2022.03.15

(21)申请号202111356066.0

(22)申请日2021.11.16

(71)申请人上海奕瑞光电子科技股份有限公司地址201201上海市浦东新区瑞庆路590号

9幢2层202室

(72)发明人罗宏德

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

代理人余明伟

(51)Int.CI.

G06V40/12(2022.01)

GO6V40/13(2022.01)

权利要求书2页说明书7页附图2页

(54)发明名称

一种指纹识别装置及其制作方法与识别方法

(57)摘要

CN114187614A本发明提供一种指纹识别装置、制作方法及其识别方法，该指纹识别装置包括基底、图像传感器层、压力发光膜层、封装层及背光源模组，其中，所述基底包括相对设置的第一表面及第二表面，所述图像传感器层位于所述基底的第一表面；所述压力发光膜层位于所述图像传感器层背离所述基底的一面；所述封装层位于所述压力发光膜层背离所述图像传感器层的一面；所述背光源模组位于所述基底的第二表面。本发明通过所述封装层传送压力、所述压力发光膜层受压力产生荧光及所述图像传感器层接收荧光后转换成

CN114187614A

提供一基底，所述基底包括相对设置的第一表面及第二表面；

提供一基底，所述基底包括相对设置的第一表面及第二表面；

于所述基底的第一表面形成依次层叠的图像传感器层、压力发光膜层及封装

层；

于所述基底的第二表面形成一背光源模组。

SI

CN114187614A权利要求书1/2页

2

1.一种指纹识别装置的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基底，所述基底包括相对设置的第一表面及第二表面；

于所述基底的第一表面形成依次层叠的图像传感器层、压力发光膜层及封装层；

于所述基底的第二表面形成一背光源模组。

2.根据权利要求1所述的指纹识别装置的制作方法，其特征在于：所述基底的材质包括玻璃、聚酰亚胺及聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种。

3.根据权利要求1所述的指纹识别装置的制作方法，其特征在于：形成所述图像传感器层的方法包括于所述基底的第一表面形成一半导体层，并于所述半导体层中形成晶体管。

4.根据权利要求1所述的指纹识别装置的制作方法，其特征在于：所述图像传感器层包括基于非晶硅的TFT图像传感器层、基于CMOS的晶硅图像传感器层及基于有机光电材料的图像传感器层中的一种。

5.根据权利要求1所述的指纹识别装置的制作方法，其特征在于：所述压力发光膜层包

括压力发光材料，所述压力发光材料包括ZnS:Cu2+、SrAl?0?:Eu2+及CaZnOS:Eu3+中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的指纹识别装置的制作方法，其特征在于：形成所述压力发光膜层的方法包括将压力发光材料分散于水或有机溶剂中后进行涂布，并烘干。

7.根据权利要求1所述的指纹识别装置的制作方法，其特征在于：形成所述压力发光膜层的方法包括将压力发光材料分散于高分子材料中后进行涂布，并固化。

8.根据权利要求1所述的指纹识别装置的制作方法，其特征在于：所述封装层包括Al?0?/SiO?交替结构层及遮光层，所述Al?O?/SiO?交替结构层位于所述压力发光膜层与所述遮光层之间，所述遮光层的材质包括A1、Mo、Ag、Au中的一种或几种，且所述遮光层的厚度范

围为20～100nm。

9.一种指纹识别装置，其特征在于，包括：

基底，包括相对设置的第一表面及第二表面；

图像传感器层，位于所述基底的第一表面；

压力发光膜层，位于所述图像传感器层背离所述基底的一面；

封装层，位于所述压力发光膜层背离所述图像传感器层的一面；

背光源模组，位于所述基底的第二表面。

10.根据权利要求9所述的指纹识别装置，其特征在于：所述图像传感器层中图像传感器的像素大小范围为70～100μm。

11.根据权利要求9所述的指纹识别装置，其特征在于：所述压力发光膜层包括压力发光材料，所述压力发光材料包括ZnS:Cu2+、SrAl?0?:Eu2+及CaZnOS:Eu3中的一种或多种。

12.根据权利要求9所述的指纹识别装置，其特征在于：所述压力发光膜层的膜厚范围为50～500nm。

13.根据权利要求9所述的指纹识别装置，其特征在于：所述封装层的厚度不大于300nm,所述