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增强型α-(AlxGa1-x)2O3Ga2O3 HEMT器件性能的研究.pdf

增强型α-(AlxGa1-x)2O3Ga2O3 HEMT器件性能的研究.pdf

    摘要

    随着超宽禁带半导体材料的发展，氧化镓（GaO）凭借超宽带隙（4.8-5.3

    23

    eV）、高临界击穿电场和高巴利加优值（BFOM）等优势，成为目前重要的研究

    方向。在半导体功率器件中，高电子迁移率晶体管（HEMTs）具有高电子迁移率、

    高密度的二维电子气（2DEG）和高击穿电压等特点，在功率开关器件研究中占

    据重要地位。但目前GaO材料还

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