CN114188496A 用于制作光转换层、发光器件的方法和电子装置 （北京芯海视界三维科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114188496A

(43)申请公布日2022.03.15

(21)申请号202010856298.1

(22)申请日2020.08.24

(71)申请人北京芯海视界三维科技有限公司地址100055北京市西城区广安门外大街

168号朗琴国际A座1808

申请人视觉技术创投私人有限公司

(72)发明人顾铁成刁鸿浩

(51)Int.CI.

HO1L51/56(2006.01)

HO1L51/00(2006.01)

HO1L27/32(2006.01)

HO1L21/77(2017.01)

HO1L27/15(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图14页

(54)发明名称

用于制作光转换层、发光器件的方法和电子

S110在发光单元层的透光区域设置硬质掩膜图形

S110

在发光单元层的透光区域设置硬质掩膜图形

S120

在发光单元层的未被硬质掩膜图形覆盖的区域设置金属栅格结构

(57)摘要

CN114188496A本申请涉及显示技术领域，公开了一种用于制作光转换层的方法，包括：在发光单元层的透光区域设置硬质掩膜图形；在发光单元层的未被硬质掩膜图形覆盖的区域设置金属栅格结构。本申请提供的用于制作光转换层的方法，能够为光转换层中的各像素提供有效隔离/支撑，有利于光转换层正常发挥功能，尽量避免光转换效果受

CN114188496A

CN114188496A权利要求书1/2页

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1.一种用于制作光转换层的方法，其特征在于，包括：

在发光单元层的透光区域设置硬质掩膜图形；

在所述发光单元层的未被所述硬质掩膜图形覆盖的区域设置金属栅格结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，设置所述硬质掩膜图形，包括：

在所述发光单元层设置硬质掩膜层，对所述硬质掩膜层进行处理以形成所述硬质掩膜图形。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在发光单元层的透光区域设置硬质掩膜图形，包括：

在所述发光单元层的部分或全部透光区域设置所述硬质掩膜图形。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述硬质掩膜图形还覆盖所述发光单元层的部分不透光区域。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述硬质掩膜层进行处理以形成所述硬质掩膜图形，包括：

对所述硬质掩膜层进行刻蚀以形成所述硬质掩膜图形。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，对所述硬质掩膜层进行刻蚀以形成所述硬质掩膜图形，包括：

以刻蚀工艺去除所述硬质掩膜层中不用于形成所述硬质掩膜图形的部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，设置所述硬质掩膜图形，包括：

在所述发光单元层的出光面设置所述硬质掩膜图形。

8.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，设置所述金属栅格结构，包括：

通过物理气相沉积PVD、化学气相沉积CVD、电镀、喷墨打印、涂布、注入、或印刷的方式设置所述金属栅格结构。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，设置所述金属栅格结构，包括：

通过电镀的方式设置所述金属栅格结构。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：

在设置所述硬质掩膜图形之前，在所述发光单元层设置电镀种子层；或

在设置所述硬质掩膜图形之后，在所述发光单元层的未被所述硬质掩膜图形覆盖的区域设置电镀种子层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在设置所述硬质掩膜图形之前设置所述电镀种子层的情况下，还包括：

在电镀所述金属栅格结构之后，去除所述电镀种子层的未电镀有所述金属栅格结构的部分。

12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：设置用于覆盖所述金属栅格结构的覆盖层。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，设置所述覆盖层，包括：

将所述覆盖层设置于所述硬质掩膜图形的间隙所包含的表面。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，

设置所述金属栅格结构，包括：通过电镀的方式设置所述金属栅格结构；

所述方法，还包括：在所述覆盖层设置电镀种子层。

CN114188496A权利要求书2/2页

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15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，设