CN114188407A 一种半导体器件电极结构、制作方法及半导体器件 （深圳市时代速信科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN114188407A布日2022.03.15

(21)申请号202210143735.4HO1L21/28(2006.01)

(22)申请日2022.02.17

(71)申请人深圳市时代速信科技有限公司

地址518000广东省深圳市福田区福保街

道福保社区广兰道6号顺仓物流中心

三层(深装总大厦A座3楼318-320)

(72)发明人田宇

(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463

代理人戴尧罡

(51)Int.CI.

H01L29/417(2006.01)

H01L29/423(2006.01)

H01L29/778(2006.01)

H01L21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图7页

(54)发明名称

漏极源极源孔

漏极源极

源孔

源孔

柢极栩极

X方向

远离概极一的一侧

靠近框极一的一侧

(57)摘要

CN114188407A本申请提供了一种半导体器件电极结构、制作方法及半导体器件，涉及半导体技术领域。该半导体器件电极结构包括源极、漏极以及栅极，源极、漏极以及栅极均设置于器件本体上，且源极与漏极分别设置于栅极的两侧；其中，源极、漏极以及栅极均平行设置；且源极、漏极以及栅极的中间位置均设置为弯曲或折线形。本申请提供

CN114188407A

CN114188407A权利要求书1/2页

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1.一种半导体器件电极结构，其特征在于，应用于半导体器件，所述半导体器件还包括器件本体，所述半导体器件电极结构包括源极、漏极以及栅极，所述源极、漏极以及栅极均设置于所述器件本体上，且所述源极与漏极分别设置于所述栅极的两侧；其中，

所述源极、漏极以及栅极均平行设置；且所述源极、所述漏极以及所述栅极的中间位置均设置为弯曲或折线形，以降低所述半导体器件的结温。

2.如权利要求1所述的半导体器件电极结构，其特征在于，所述源极上设置有至少一个源孔，所述源孔设置于所述源极的靠近所述栅极的一侧；且所述源极的远离所述栅极一侧的宽度小于所述源极的靠近所述栅极一侧的宽度。

3.如权利要求1所述的半导体器件电极结构，其特征在于，当所述半导体器件电极结构包括多个时，所述半导体器件电极结构还包括连接体，所述连接体与多个栅极分别连接，且所述连接体与所述栅极连接的位置设置为锥形。

4.如权利要求1所述的半导体器件电极结构，其特征在于，当所述源极、漏极以及栅极的中间位置设置为弯曲形时，所述源极、漏极以及栅极设置为S形或C形。

5.如权利要求4所述的半导体器件电极结构，其特征在于，所述源极上设置有至少一个源孔，当所述源极、漏极以及栅极设置为S形时，所述源孔设置于所述源极的靠近所述栅极的一侧或所述源极的中间位置。

6.如权利要求1所述的半导体器件电极结构，其特征在于，当所述源极、漏极以及栅极的中间位置设置为折线形时，所述源极、漏极以及栅极均设置为一次折线形或多次折线形。

7.如权利要求1所述的半导体器件电极结构，其特征在于，所述栅极与漏极之间的间距大于所述栅极与源极之间的间距。

8.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括器件本体与如权利要求1-7任一项所述的半导体器件电极结构，所述半导体器件电极结构设置于所述器件本体上。

9.一种半导体器件电极结构制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1至7任一项所述的半导体器件电极结构，所述方法包括：

提供一器件本体；

沿所述器件本体的表面沉积光刻胶；

基于所述光刻胶制作中间位置为弯曲或折线形的源极沟槽与漏极沟槽；

沿所述源极沟槽与所述漏极沟槽蒸发源极金属与漏极金属；

剥离所述光刻胶；

沿所述器件本体、所述源极金属以及所述漏极金的表面沉积绝缘层；

基于所述绝缘层制作中间位置为弯曲或折线形的栅极沟槽；

沿所述栅极沟槽蒸发栅极金属；

剥离所述绝缘层，以形成平行设置的源极、漏极以及栅极。

10.如权利要求9所述的半导体器件电极结构制作方法，其特征在于，在所述剥离所述绝缘层，以形成平行设置的源极、