CN114267667A 集成天线的多芯片系统及其制作方法 （华进半导体封装先导技术研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN114267667A布日2022.04.01

(21)申请号202111603700.6

(22)申请日2021.12.24

(71)申请人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

地址214028江苏省无锡市新区菱湖大道

200号中国传感网国际创新园D1栋申请人上海先方半导体有限公司

(72)发明人徐成孙鹏

HO1LHO1LH01LH01Q

25/00(2006.01)

21/50(2006.01)

21/56(2006.01)

1/22(2006.01)

(74)专利代理机构上海智晟知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)31313代理人张东梅

(51)Int.CI.

H01L23/66(2006.01)

H01L23/538(2006.01)

H01L23/552(2006.01)

权利要求书3页说明书8页附图4页

(54)发明名称

集成天线的多芯片系统及其制作方法

(57)摘要

CN114267667A本发明提供了一种集成天线的多芯片系统及其制作方法，包括：多个叠层，被配置为容纳多个芯片、超细RDL转接板和多个金属支撑柱中的一种或多种，其中多个叠层之间沿厚度方向堆叠形成垂直互连结构；以及中间

CN114267667A

CN114267667A权利要求书1/3页

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1.一种集成天线的多芯片系统，其特征在于，包括：

多个叠层，被配置为容纳下列各项中的一个或多个：多个芯片、超细RDL转接板和多个金属支撑柱，其中在所述多个叠层之间沿厚度方向堆叠形成垂直互连结构；以及

中间RDL层，被配置为充当所述多个叠层的分界面。

2.如权利要求1所述的集成天线的多芯片系统，其特征在于，包括：

第一叠层，被配置为容纳多个芯片、第一超细RDL转接板和多个第一金属支撑柱；

第二叠层，被配置为容纳多个芯片、第二超细RDL转接板和多个第二金属支撑柱；

中间RDL层，被配置为作为第一叠层和第二叠层的分界面，与第一叠层的第一面和第二叠层的第一面贴合；以及

外RDL层，被配置为容纳天线，且与第一叠层和/或第二叠层连接。

3.如权利要求2所述的集成天线的多芯片系统，其特征在于，所述外RDL层包括：

天线层，被配置为容纳天线，其与第一叠层的第二面和/或第二叠层的第二面连接；以及

纯RDL层，被配置为与第一叠层的第二面和/或第二叠层的第二面连接；

其中纯RDL层与天线层的布置相反，使得纯RDL层和天线层分别位于集成天线的多芯片系统的第一面和第二面。

4.如权利要求3所述的集成天线的多芯片系统，其特征在于，还包括：

外芯片层，被配置为容纳多个芯片，使得多个芯片与天线层和/或纯RDL层靠外侧的一面连接；

焊球层，被配置为容纳焊球，其与天线层和/或纯RDL层靠外侧的一面连接。

5.如权利要求4所述的集成天线的多芯片系统，其特征在于，第一叠层和第二叠层的电信号至少通过以下方式连接：

第一叠层的芯片、第二叠层的芯片、第一超细RDL转接板、第一金属支撑柱、第二超细RDL转接板、第二金属支撑柱、天线、外芯片层的芯片、以及焊球中的任意两种部件之间能够通过中间RDL层和/或外RDL层形成电连接；

第一超细RDL转接板能够与第一叠层中的任意一个部件之间具有电连接；

第二超细RDL转接板能够与第二叠层中的任意一个部件之间具有电连接。

6.如权利要求2所述的集成天线的多芯片系统，其特征在于，第一超细RDL转接板和第二超细RDL转接板上具有TSV孔，所述TSV孔的直径为200nm～10.0μm。

7.如权利要求2所述的集成天线的多芯片系统，其特征在于，所述第一超细RDL转接板和第二超细RDL转接板的布置满足以下条件中的一个或多个：

所述第一超细RDL转接板和第二超细RDL转接板垂直互连；

所述第一超细RDL转接板和第二超细RDL转接板分别位于第一叠层和第二叠层的中心位置；

多个芯片围绕所述第一超细RDL转接板和第二超细RDL转接板。

8.如权利要求2所述的集成天线的多芯片系统，其特征在于，第一金属支撑柱和第二金属支撑柱的布置满足以下条件中的一个或多个：

第一金属支撑柱和第二金属支撑柱垂直互连；

第一金属支撑柱和第二金属支撑柱围绕第一叠层的芯片和第二叠层的芯片布置；

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