激光等离子体极紫外光刻光源：碎屑特性解析与减缓策略探究.docx

激光等离子体极紫外光刻光源：碎屑特性解析与减缓策略探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体产业中，光刻技术作为芯片制造的核心工艺，始终遵循着摩尔定律，不断朝着更小的特征尺寸和更高的集成度迈进。随着芯片制程节点逐渐逼近物理极限，传统的深紫外光刻技术已难以满足日益增长的精度需求，极紫外光刻（EUVL）技术应运而生，成为推动半导体产业持续发展的关键力量。而激光等离子体极紫外光刻光源，作为极紫外光刻技术的核心组成部分，其性能的优劣直接决定了光刻工艺的分辨率、生产效率以及芯片制造的成本，在半导体光刻领域具有举足轻重的地位。

极紫外光刻采用波长为13.5nm的极紫外光作为光源，与传统深紫外