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基于从头算散射率非灰多速度PLBM的GaN+HEMTs近结热分析.pdf

基于从头算散射率非灰多速度PLBM的GaN+HEMTs近结热分析.pdf

    摘要

    摘要

    氮化镓高电子迁移率晶体管（GalliumNitrideHighElectronMobility

    Transistors，GaNHEMTs）因其卓越的电子性能，在高功率电子器件中占据核心

    地位。然而，随着功率和集成度的不断提升，GaNHEMTs近结区域的声子受到

    非平衡热输运、异质界面和电热耦合等多重因素影响，导致通道温度升高、电流

    崩塌和可靠性下降，严重

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