CN112666503A 一种并行双mz光纤磁传感装置及其制作方法 （南京信息工程大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN112666503A

(43)申请公布日2021.04.16

(21)申请号202110017298.7

(22)申请日2021.01.07

(71)申请人南京信息工程大学

地址210044江苏省南京市江北新区宁六

路219号

(72)发明人刘博忻向军赵立龙毛雅亚郑杰文王瑞春沈磊任建新吴泳锋孙婷婷

(74)专利代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204

代理人柏尚春

(51)Int.CI.

GO1R33/032(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种并行双M-Z光纤磁传感装置及其制作方法

(57)摘要

CN112696503A本发明公开了一种并行双M-Z光纤磁传感装置及其制作方法，包括将第一光纤耦合器一侧端口通过单模光纤与宽带光源连接，另一侧两端口通过单模光纤分别与M-Z磁传感探头和参考M-Z磁传感探头一端相连，第二光纤耦合器一侧端口通过单模光纤与光谱分析仪相接，另一侧两端口通过单模光纤分别与M-Z磁传感探头和参考M-Z磁传感探头另一端相连；M-Z磁传感探头设有干涉结构的光纤，干涉结构的光纤外部套设有封闭的石英微管，石英微管内部和干涉结构光纤外部之间的封闭空间中填充有磁流体，在石英微管内形成一个M-Z干涉仪。本发明向M-Z光纤结构中注入磁流体以实现测量外界磁场的变化并利用并行双M-Z

CN112696503A

CN112666503A权利要求书1/2页

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1.一种并行双M-Z光纤磁传感装置，其特征在于，包括宽带光源、光纤耦合器、M-Z磁传感探头、参考M-Z磁传感探头和光谱分析仪；所述第一光纤耦合器一侧端口通过单模光纤与宽带光源连接，所述第一光纤耦合器另一侧两端口通过单模光纤分别与M-Z磁传感探头和参考M-Z磁传感探头一端相连，所述第二光纤耦合器一侧端口通过单模光纤与光谱分析仪相接，所述第二光纤耦合器另一侧两端口通过单模光纤分别与M-Z磁传感探头和参考M-Z磁传感探头另一端相连；所述M-Z磁传感探头设有干涉结构的光纤，所述干涉结构的光纤外部套设有封闭的石英微管，所述石英微管内部和干涉结构光纤外部之间的封闭空间中填充有磁流体，在石英微管内形成一个M-Z干涉仪。

2.根据权利要求1所述一种并行双M-Z光纤磁传感装置，其特征在于，所述M-Z磁传感探头采用偏置M-Z干涉结构，所述偏置M-Z干涉结构内设有偏置结构的单模光纤，所述偏置结构两边的单模光纤中心对齐。

3.根据权利要求1所述一种并行双M-Z光纤磁传感装置，其特征在于，所述M-Z磁传感探头采用拉锥M-Z干涉结构，所述拉锥M-Z干涉结构内设有拉锥结构的单模光纤。

4.根据权利要求1所述一种并行双M-Z光纤磁传感装置，其特征在于，所述M-Z磁传感探头采用双球M-Z干涉结构，所述双球M-Z干涉结构内设有光子晶体光纤，所述光子晶体光纤的两端分别与单模光纤端面的光纤泡熔接。

5.根据权利要求1所述一种并行双M-Z光纤磁传感装置，其特征在于，所述M-Z磁传感探头和参考M-Z磁传感探头长度为1至1.5cm。

6.根据权利要求1所述一种并行双M-Z光纤磁传感装置及其制作方法，其特征在于：所述光纤耦合器的分光比为50%。

7.根据权利要求1所述一种并行双M-Z光纤磁传感装置，其特征在于，所述单模光纤为G.652单模光纤，纤芯直径为8.2um,包层直径为125um。

8.根据权利要求1所述一种并行双M-Z光纤磁传感装置，其特征在于，所述光子晶体光纤长2.5cm,气孔间隔为7.5um。

9.根据权利要求1所述一种并行双M-Z光纤磁传感装置，其特征在于，所述石英微管的长度为1.5～2cm,内径为150um,管壁厚度为35um。

10.一种根据权利要求2所述的一种并行双M-Z光纤磁传感装置的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1:偏置M-Z磁传感探头的制作：取两根根单模光纤，将两根单模光纤的一端分别去除涂覆层并用酒精清洁，使用光纤熔接机将两根单模光纤去除涂覆层的一端偏置熔接，熔接完成后将此结构固定于三维调节装置上，通过高倍显微镜观察与三维调节装置调节，切取合适长度的偏置光纤；另取一根单模光纤去除涂覆层后与切取后的单模光纤偏置熔接，通过光纤熔接机内置显微镜，调节使