CN113161350B 一种集成芯片及其制作方法和集成电路 （深圳市汇芯通信技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113161350B(45)授权公告日2023.01.31

(21)申请号202010075367.5

(22)申请日2020.01.22

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113161350A

(43)申请公布日2021.07.23

H01L23/66(2006.01)

(56)对比文件

CN106229314A,2016.12.14

审查员叶常茂

(73)专利权人深圳市汇芯通信技术有限公司

地址518000广东省深圳市华富街道莲花

一村社区皇岗路5001号深业上城(南

区)T2栋2701

(72)发明人樊永辉曾学忠樊晓兵许明伟

(74)专利代理机构深圳市博衍知识产权代理有限公司44415

专利代理师曾新浩

(51)Int.CI.

HO1L27/06(2006.01)权利要求书3页说明书11页附图14页

(54)发明名称

一种集成芯片及其制作方法和集成电路

(57)摘要

CN113161350B申请公开了一种集成芯片及其制作方法和集成电路。所述集成芯片包括相连接的砷化镓异质结双极晶体管和LC滤波器，砷化镓异质结双极晶体管包括衬底、外延层、发射极、基极、收集极、钝化层、第一金属层和第二金属层等，LC滤波器包括相连接的电感和电容，电感包括电感绕线和电感端口，电容包括下电极、电容介质和上电极，下电极与所述第一金属层、电感绕线通过同一道制程形成，上电极、第二金属层和电感端口通过同一道制程形成，所述第二金属层与所述电感端口、所述上电极耦合。本申请通过对砷化镓异质结双极晶体管和LC滤波器的集成减小芯片以及产品的体积，提高芯片的性能；还将晶体管和滤波器的相关金属结构同步制程，提高生产效率和

CN113161350B

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CN113161350B权利要求书1/3页

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1.一种集成芯片，其特征在于，包括相连接的砷化镓异质结双极晶体管和LC滤波器，所述砷化镓异质结双极晶体管包括：

衬底；

外延层；设置在所述衬底的上表面，采用砷化镓系材料制成；

发射极、基极和收集极，设置在所述外延层的上方；

钝化层，设置在所述发射极、基极和收集极的上方；

第一金属层，设置在所述钝化层的上方，与所述发射极、基极和收集极相连；

第二金属层，与所述第一金属层连接，且设置在所述第一金属层的上方；

所述LC滤波器包括相连接的电感和电容，所述电感包括：

电感绕线，设置在所述钝化层的上方；以及

电感端口，设置在所述电感绕线的上方，与所述电感绕线的端部连接；

所述电容包括：

下电极，设置在所述钝化层的上方；

电容介质，设置在所述下电极上；以及

上电极，设置在所述电容介质的上方；

其中，所述第二金属层与所述电感端口、所述上电极耦合；

所述电感绕线、所述下电极与所述第一金属层采用同一制成形成；所述电感端口、所述第二金属层和上电极通过同一道制程形成；

所述第二金属层与所述电感端口通过空气桥耦合，所述电感端口与所述上电极通过空气桥耦合；

所述集成芯片还包括：

背孔，贯穿所述衬底和外延层；以及

背面金属层，设置在所述衬底的下表面，通过所述背孔与所述发射极连接。

2.如权利要求1所述的一种集成芯片，其特征在于，包括相邻设置的晶体管区和LC滤波器区，所述晶体管区设置有砷化镓异质结双极晶体管，所述LC滤波器区设置有电感和电容，所述晶体管区和LC滤波器区包括：

第一钝化层，设置在所述外延层上；

第二钝化层，设置在所述第一钝化层；

第三钝化层，设置在所述第二钝化层上；以及

金属间电介质，设置在所述第三钝化层上；

所述晶体管区还包括：

发射极、基极和收集极，设置在所述外延层的上方，与所述外延层连接；

第一金属层，设置在所述发射极、基极和收集极的上方，且分别与所述发射极、基极和收集极连接；以及

第二金属层，设置在所述金属间电介质的上方，贯穿所述金属间电介质，且分别与所述发射极和收集极上方的第一金属层连接；