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2025年微电子工艺试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题

1.在硅晶体中，与锗晶体具有相同晶体结构的面是？

A.(111)

B.(100)

C.(110)

D.(001)

2.对于热氧化过程，下列说法错误的是？

A.氧化层生长主要发生在硅的表面

B.氧化层中的杂质（如金属离子）会向内扩散

C.氧化温度越高，氧化层生长速率越快，均匀性越好

D.热氧化可以在非晶硅表面生长高质量的二氧化硅

3.光刻工艺中，影响最小特征尺寸（k1值）的关键因素之一是？

A.照明光源的波长

B.光刻胶的感光特性

C.透镜的数值孔径

D.以上都是

4.下列哪种刻蚀技术属于各向异性刻蚀？

A.等离子体干法刻蚀

B.热湿法刻蚀

C.反应离子刻蚀（RIE）

D.碱液湿法刻蚀

5.在化学气相沉积（CVD）中，PECVD通常指？

A.低压力化学气相沉积

B.高温化学气相沉积

C.等离子体增强化学气相沉积

D.以上都不是

6.离子注入过程中，用来控制注入离子横向扩散的主要工艺步骤是？

A.注入能量

B.注入剂量

C.离子束能量

D.注入后的退火处理

7.在硅片表面形成氮化硅（SiN）薄膜的化学气相沉积方法主要是？

A.LPCVD

B.PECVD

C.AECVD

D.SVD

8.下列哪种工艺主要用于改善离子注入引入的晶格损伤？

A.注入

B.热氧化

C.退火

D.光刻

9.微电子器件制造中，需要将不同功能的电路层精确地叠合在一起的关键技术是？

A.沉积

B.刻蚀

C.对准与曝光

D.晶体生长

10.衡量刻蚀过程选择性（Selectivity）的指标是？

A.刻蚀速率

B.刻蚀均匀性

C.刻蚀后表面粗糙度

D.被刻蚀材料去除速率与保护层去除速率之比

二、填空题

1.硅的禁带宽度约为_______eV。

2.热氧化生成的二氧化硅（SiO2）薄膜是一种_______介质。

3.光刻工艺中，用于传递图形到光刻胶上的光源，根据波长不同可分为深紫外光（DUV）和极紫外光（________）。

4.反应离子刻蚀（RIE）结合了等离子体化学反应的_______和物理溅射的_______作用。

5.在薄膜沉积中，溅射是一种常见的_______相沉积技术。

6.离子注入的注入剂量通常用_______表示，单位是_______。

7.氮化硅（SiN）薄膜具有良好的_______特性，常被用作钝化层。

8.工艺流程中的__________是指在后续工艺中不参与反应或被保护的区域。

9.硅片经过光刻和刻蚀后，在晶圆表面会形成具有特定图案的_______结构。

10.影响薄膜沉积均匀性的因素包括基底温度、__________和基底旋转速度等。

三、名词解释

1.晶体缺陷(CrystalDefect)

2.关键尺寸(CriticalDimension,CD)

3.化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)

4.掺杂浓度(DopingConcentration)

5.工艺窗口(ProcessWindow)

四、简答题

1.简述热氧化生长二氧化硅（SiO2）的基本化学反应方程式。

2.简述光刻工艺的主要步骤及其作用。

3.与湿法刻蚀相比，干法刻蚀（如RIE）有哪些主要优点？

4.简述离子注入后进行退火处理的目的是什么。

五、计算题

1.已知硅片在1000°C下进行热氧化，如果氧气分压为1atm，生长了500nm厚的SiO2。试估算该氧化层的等效硅厚度（SiliconEquivalentThickness,SET）。（氧化层密度为2.2g/cm3，硅密度为2.33g/cm3，SiO2摩尔质量为60g/mol，硅摩尔质量为28g/mol，阿伏伽德罗常数NA=6.022x1023mol?1）

2.某离子注入工艺，使用能量为50keV的硼离子（B+），注入后进行退火处理。已知该离子在硅中的射程（R0）约为10μm。若要求将掺杂区深度控制在8μm以内，请从射程分布的角度说明这是否可行