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《GBT 46381-2025 集成电路封装用低放射性球形氧化硅微粉》巩固测试试卷及参考答案.pdfVIP

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  • 2026-02-06 发布于浙江
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《GBT 46381-2025 集成电路封装用低放射性球形氧化硅微粉》巩固测试试卷及参考答案.pdf

    《GB/T46381-2025集成电路封装用低放射性球形

    氧化硅微粉》巩固测试试卷及参考答案

    一、单选题（共15题，每题2分，共30分）

    1.根据标准第1章的范围，本标准不适用于以下哪种方法制备的球形氧化硅微

    粉？

    A.火焰熔融法

    B.高温熔融喷射法

    C.高温氧化法

    D.化学沉淀法

    2.标记“Q050L45”代表什么含义？

    A.$D_{50}$为50µm，切断点为45µm的低放射性球形氧化铝微粉

    B.$D_{50}$为5.0µm，切断点为45µm的低放射性球形氧化硅微粉

    C.$D_{50}$为5.

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