CN112186502A 一种窄线宽半导体外腔激光器及其制作方法 （武汉光迅科技股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN112186502A

(43)申请公布日2021.01.05

(21)申请号202011064014.1

(22)申请日2020.09.30

(71)申请人武汉光迅科技股份有限公司

地址430074湖北省武汉市洪山区邮科院

路88号

(72)发明人汤学胜程媛黄丽艳胡强高

(74)专利代理机构深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)44341

代理人何婷

(51)Int.CI.

HO1SHO1S

5/14(2006.01)

5/00(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图2页

(54)发明名称

一种窄线宽半导体外腔激光器及其制作方法

(57)摘要

CN112186502A本发明提供了一种窄线宽半导体外腔激光器及其制作方法，激光器包括半导体集成芯片和带有耦合结构的光纤光栅，半导体集成芯片上设有取样光栅区；取样光栅区和光纤光栅为激光器中的模式选择滤波器，取样光栅区具有周期性梳状反射光谱，光纤光栅具有单峰反射光谱，模式选择滤波器合成光谱由取样光栅区反射光谱中一个反射峰的上升沿与光纤光栅单峰反射光谱的下降沿通过游标效应形成，或者由光纤光栅单峰反射光谱的上升沿与取样光栅区反射光谱中一个反射峰的下降沿通过游标效应形成。通过采用取样光栅和光纤光栅组合滤波，更容易实现窄

CN112186502A

CN112186502A权利要求书1/1页

2

1.一种窄线宽半导体外腔激光器，其特征在于，包括半导体集成芯片(1)和带有耦合结构的光纤光栅(2),所述半导体集成芯片(1)上远离所述光纤光栅(2)的一端设有取样光栅区(1-1);

所述取样光栅区(1-1)和所述光纤光栅(2)为激光器中的模式选择滤波器，所述取样光栅区(1-1)具有周期性梳状反射光谱，所述光纤光栅(2)具有单峰反射光谱，所述模式选择滤波器的合成光谱由所述取样光栅区(1-1)反射光谱中一个反射峰的上升沿与所述光纤光栅(2)单峰反射光谱的下降沿通过游标效应形成，或者由所述光纤光栅(2)单峰反射光谱的上升沿与所述取样光栅区(1-1)反射光谱中一个反射峰的下降沿通过游标效应形成。

2.根据权利要求1所述的窄线宽半导体外腔激光器，其特征在于，所述取样光栅区(1-1)设置有第一加热电极，用于调整所述取样光栅区(1-1)的温度来调谐所述取样光栅区(1-1)反射光谱的峰值波长位置，进而获得不同光谱带宽的模式选择滤波器。

3.根据权利要求1所述的窄线宽半导体外腔激光器，其特征在于，所述半导体集成芯片(1)上还设有调相区(1-2)和增益有源区(1-3);

其中，所述调相区(1-2)处于所述半导体集成芯片(1)的中间区域，用于激光器的相位调控；所述增益有源区(1-3)设置在所述半导体集成芯片(1)上靠近所述光纤光栅(2)的一端，以便与所述光纤光栅(2)耦合。

4.根据权利要求3所述的窄线宽半导体外腔激光器，其特征在于，所述调相区(1-2)设置有第二加热电极，用于对所述调相区(1-2)进行电流或电压注入，通过调整所述调相区(1-2)的温度来调谐激光器的腔模。

5.根据权利要求1所述的窄线宽半导体外腔激光器，其特征在于，所述光纤光栅(2)上靠近耦合端面的位置设有光纤布拉格光栅区，通过调节所述光纤布拉格光栅区在所述光纤光栅(2)上的位置，实现激光器腔长的调节。

6.根据权利要求5所述的窄线宽半导体外腔激光器，其特征在于，还包括光纤夹持器

(3),所述光纤夹持器(3)的内部设有光纤孔，以便将所述光纤光栅(2)上的光纤布拉格光栅区设置在所述光纤孔内。

7.根据权利要求6所述的窄线宽半导体外腔激光器，其特征在于，所述光纤夹持器(3)采用硅材料制作。

8.根据权利要求1-7任一所述的窄线宽半导体外腔激光器，其特征在于，所述光纤光栅(2)的耦合端面制作成锥形、楔形或半球形。

9.根据权利要求1-7任一所述的窄线宽半导体外腔激光器，其特征在于，所述取样光栅区(1-1)是通过在均匀波导光栅中周期性去除部分区域而构成的一种周期性光栅结构。

10.一种窄线宽半导体外腔激光器的制作方法，其特征在于，用于制作权利要求1-9任一所述的窄线宽半导体外腔激光器。

CN112186502A说明书