《GBT+11073-2025 硅片径向电阻率变化测量方法》练习题试卷及参考答案.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约6.75千字
  • 约 15页
  • 2026-02-09 发布于浙江
  • 举报

《GBT+11073-2025 硅片径向电阻率变化测量方法》练习题试卷及参考答案.pdf

《GBT+11073-2025硅片径向电阻率变化测量方法》

练习题试卷及参考答案

一、单选题(共15题,每题2分,共30分)

1.GB/T11073-2025标准主要适用于测量哪种类型硅片的径向电阻率变化?

A.多晶硅片

B.特定范围的硅单晶片

C.非晶硅薄膜

D.所有半导体晶片

2.该标准所采用的测量方法是?

A.范德堡法

B.扩展电阻探针法

C.直排四探针法

D.涡流法

3.与GB/T11073-2007相比,GB/T11073-2025的主要变化不包括?

A.测量

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档