《十五五AI芯片的碳化硅与氮化镓功率器件集成，提升能效的宽禁带半导体投资》.pptxVIP

;目录;;“十五五”国家科技规划中宽禁带半导体的战略定位与AI算力基础设施的能效约束目标解读;全球主要经济体（美、欧、日）在宽禁带半导体与AI融合领域的竞争战略比较与中国的位置研判;AI芯片功耗危机：为何宽禁带半导体被视作“十五五”期间打破“功耗墙”的终极武器之一？;从“材料”到“系统”：宽禁带半导体投资逻辑在“十五五”期间的升维演变分析;;物理特性对决：碳化硅的高热导率与氮化镓的高电子迁移率如何分别赋能不同AI功耗场景？;高压战场（600V）的王者：为何碳化硅MOSFET在AI数据中心高压直流供电与储能系统中不可或缺？;高频战场（1MHz）的利器：氮化镓