微电子器件课件（第4版）微电子器件 （习题解答）.pdfVIP

部分习题解答

部分习题解答

第2章

3、

4、

6、

NN

D2D1

8、(1)

(2)

20、

24、PN结的正向扩散电流为

2

式中的I因含n而与温度关系密切，因此正向扩散电流可表为

0i

于是PN结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为

31、

-

当N区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为

-

当N区缩短到W=3m时，雪崩击穿电压成为

34、

39、

第3章

1、NPN缓变基区晶体管在平衡时的能带图

NPN缓变基区晶体管在放大区时的能带图

2、NPN缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图

3、

6、

7、

8、以NPN管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时，由

式（3-33a）和式（3-33b），

再根据注入效率的定义，可得

9、

10、

(1)

(2)

(3)

(4)

14、

15、

20、当忽略基区中的少子复合及I时，

CEO

22、

48、

在I很小或很大时，α都会有所下降。

E

当I很小时，这时αα；

E0

当I很大时，这时αα；

E0

在正常的I范围内，α几乎不随I变化，这时

EE

ββ也有类似的关系。

0

58、

59、

65、

(1)

(2)

(3)

(4)

68、

第4章

1、

3、

5、

6、

8、

13、