CN113948589B 一种p型电池及其制作方法 （泰州隆基乐叶光伏科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113948589B(45)授权公告日2023.07.14

(21)申请号202010621513.X

(22)申请日2020.06.30

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113948589A

H01L31/18(2006.01)

(56)对比文件

CN108831953A,2018.11.16

审查员高铭洁

(43)申请公布日2022.01.18

(73)专利权人泰州隆基乐叶光伏科技有限公司地址225300江苏省泰州市海陵区兴泰南

路268号

(72)发明人李华靳玉鹏

(74)专利代理机构北京知迪知识产权代理有限公司11628

专利代理师周娟

(51)Int.CI.

HO1L31/0224(2006.01)

HO1L31/068(2012.01)权利要求书2页说明书15页附图7页

(54)发明名称

一种P型电池及其制作方法

(57)摘要

CN113948589B本发明公开一种P型电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，以简化局部钝化接触结构的制备工艺，提高过程品质可控性，提高产品性能。所述P型电池的制作方法包括：提供一P型硅基底；在P型硅基底的第一面形成硅膜；对硅膜的局部区域进行N型掺杂，获得形成有局部掺杂部的硅膜；对形成有局部掺杂部的硅膜进行刻蚀，以去除局部掺杂部，并保留局部硅膜；对具有局部硅膜的P型硅基底的第一面进行N型掺杂；然后在局部硅膜的上形成第一电极；在P型硅基底的第二面形成第二电极。所述P

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CN113948589B权利要求书1/2页

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1.一种P型电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供P型硅基底；所述P型硅基底具有相对的第一面和第二面；

在所述P型硅基底的第一面形成硅膜；

对所述硅膜的局部区域进行N型掺杂，获得形成有局部掺杂部的硅膜；

对形成有局部掺杂部的硅膜进行刻蚀，以去除所述局部掺杂部，并保留局部硅膜；

对具有所述局部硅膜的所述P型硅基底的第一面进行N型掺杂；然后在所述局部硅膜之上形成第一电极；

在所述P型硅基底的第二面形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的P型电池的制作方法，其特征在于，所述硅膜为本征硅膜；或，所述硅膜为轻掺杂硅膜，所述轻掺杂硅膜轻掺杂有N型杂质元素或P型杂质元素。

3.根据权利要求1所述的P型电池的制作方法，其特征在于，在所述形成有局部掺杂部的硅膜中，所述局部掺杂部含有有效掺杂浓度为101?cm?3~1022cm?3的N型杂质元素，所述硅膜除所述局部掺杂部外的区域含有有效掺杂浓度小于101?cm?3的杂质元素。

4.根据权利要求1所述的P型电池的制作方法，其特征在于，所述N型掺杂的工艺为热扩散工艺；其中，

所述热扩散工艺的掺杂源形成方式为局部形成方式，所述热扩散工艺的杂质元素驱入方式为以加热设备为热源的驱入方式；或，

所述热扩散工艺的掺杂源形成方式为整面形成方式，所述热扩散工艺的杂质元素驱入方式为以激光为热源的局部驱入方式。

5.根据权利要求1所述的P型电池的制作方法，其特征在于，所述N型掺杂的工艺为离子注入工艺，所述离子注入工艺的离子注入设备具有掩膜板。

6.根据权利要求1所述的P型电池的制作方法，其特征在于，所述刻蚀为湿法刻蚀；所述湿法刻蚀的刻蚀剂为酸性刻蚀剂或碱性刻蚀剂；或，

所述刻蚀为干法刻蚀；所述干法刻蚀的刻蚀剂为含卤素元素气体。

7.根据权利要求1～6任一项所述的P型电池的制作方法，其特征在于，所述对具有所述局部硅膜的所述P型硅基底的第一面进行N型掺杂包括：

以去除所述局部掺杂部的区域为通道，对具有所述局部硅膜的所述硅基底的第一面进行N型掺杂。

8.根据权利要求7所述的P型电池的制作方法，其特征在于，所述对具有所述局部硅膜的对所述P型硅基底的第一面进行N型掺杂还包括：

以所述局部硅膜为掺杂通道，对具有所述局部硅膜的所述P型硅基底的第一面被局部硅膜覆盖的区域进行N型掺杂。

9.根据权利要求1～6任一项所述的P型电池的制作方法，其特征在于，所述在所述P型硅基底的第一面形成硅膜前，所述P型电池