CN114093813A 一种用于半导体器件的接触孔的制作方法 （澳芯集成电路技术(广东)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114093813A

(43)申请公布日2022.02.25

(21)申请号202210077175.7

(22)申请日2022.01.24

(71)申请人澳芯集成电路技术(广东)有限公司地址510700广东省广州市黄埔区香雪大

道中85号1601-1607房

申请人广东省大湾区集成电路与系统应用

研究院

(72)发明人毛永吉叶甜春朱纪军罗军李彬鸿赵杰

(74)专利代理机构无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)32260

代理人苗雨

(51)Int.CI.

HO1L21/768(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图6页

(54)发明名称

一种用于半导体器件的接触孔的制作方法

(57)摘要

CN114093813A本发明涉及半导体技术领域，公开了一种用于半导体器件的接触孔的制作方法，包括如下步骤：S1:在衬底上的交互层上制作第一蚀刻停止层；S2:在第一蚀刻停止层上制作氧化层，第一蚀刻停止层的蚀刻率小于氧化层的蚀刻率；S3:蚀刻氧化层，制作第一接触孔，第一接触孔的蚀刻终点在第一蚀刻停止层内；S4:在第一接触孔内蚀刻第一蚀刻停止层，制作第二接触孔，第二接触孔的底部延伸至交互层，在实际使用时，通过第一蚀刻停止层，可以让步骤S3中的刻蚀终点都在第一蚀刻停止层上，然后在第一蚀刻停止层上进行二次刻蚀制作完整的接触孔，进而确保不同位置的接触孔不会出现过刻蚀或者刻蚀不足的

CN114093813A

S1

在衬底上的交互层上

在衬底上的交互层上制作第一蚀刻停止层

S2

在第一蚀刻停止层上制作氧化层，第一

蚀刻停止层的蚀刻率小于氧化层的蚀刻率

S3

蚀刻氧化层，制作第一接触孔，第一接触孔的蚀刻终点在所述第一蚀刻停止层内

S4

在第一接触孔内蚀刻第一蚀刻停止层，制作第二接触孔，第二接触孔的底部延伸至所述交互层上

CN114093813A权利要求书1/1页

2

1.一种用于半导体器件的接触孔的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1:在衬底上的交互层上制作第一蚀刻停止层；

S2:在第一蚀刻停止层上制作氧化层，所述第一蚀刻停止层的蚀刻率低于所述氧化层的蚀刻率；

S3:蚀刻所述氧化层，制作第一接触孔，所述第一接触孔的蚀刻终点在所述第一蚀刻停止层内；

S4:在所述第一接触孔内蚀刻所述第一蚀刻停止层，制作第二接触孔，所述第二接触孔的底部延伸至所述交互层上。

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件的接触孔的制作方法，其特征在于，当衬底上有多个交互层时，在每个交互层上分别制作第一蚀刻停止层，在不同交互层上的第一蚀刻停止层上制作的氧化层的顶面在同一水平位置。

3.根据权利要求2所述的一种用于半导体器件的接触孔的制作方法，其特征在于，当在不同交互层上的第一蚀刻停止层上制作的氧化层的最大厚度为D1、最小厚度为D2时，如果第一蚀刻停止层的蚀刻速率是V1,则步骤S1中制作的第一蚀刻停止层的厚度不小于D2-D1)/V1。

4.根据权利要求3所述的一种用于半导体器件的接触孔的制作方法，其特征在于，不同交互层上制作的第一蚀刻停止层的厚度相同。

5.在根据权利要求1所述的一种用于半导体器件的接触孔的制作方法，其特征在于，所述第一蚀刻停止层的材质是AIN。

6.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件的接触孔的制作方法，其特征在于，步骤S3如下：先在氧化层上制作光刻胶层，然后在光刻胶层上对接触孔的位置区域进行曝光，最后对曝光后的接触孔区域进行蚀刻。

7.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件的接触孔的制作方法，其特征在于，步骤S1中，先在交互层上制作第二蚀刻停止层，然后在第二蚀刻停止层上制作第一蚀刻停止层。

8.根据权利要求7所述的一种用于半导体器件的接触孔的制作方法，其特征在于，所述第二蚀刻停止层的材质是氮化硅。

CN114093813A说明书1/5页

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一种用于半导体器件的接触孔的制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于半导体器件的接触孔的制作方

法。

背景技术

[0002]在集成电路的制作工艺中，通过曝光、显影和刻蚀等工艺将电路图