CN114121992A 存储器的制作方法 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114121992A

(43)申请公布日2022.03.01

(21)申请号202111173128.4

(22)申请日2021.10.08

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人颜元

(74)专利代理机构

代理人高洁

朱文琪刘修忠吴亮

北京派特恩知识产权代理有限公司11270

张颖玲

(51)Int.CI.

HO1L27/1157(2017.01)

H01L27/11578(2017.01)

H01L27/11524(2017.01)

H01L27/11551(2017.01)

权利要求书2页说明书8页附图9页

(54)发明名称

存储器的制作方法

提供待处理结构；其中，待处理结构包括层叠设置

提供待处理结构；其中，待处理结构包括层叠设置的材料层和器件层，器件层包括被材料层覆盖的离子注入区

S200

对材料层的第一区域进行第一热处理

在向材料层的第一区域进行第一热处理后，对材料层的第一区域进行第二热处理，以加热材料层的第一区域和离子注入区；其中，第二热处理的温度范围，大于第一热处理的温度范围

在对材料层的第一区域进行第二热处理后，对材料层的第二区域进行第一热处理；其中，材料层的第二区域包括与材料层的第一区域重叠的第一子区域，以及与第一区域并列设置的第二子区域：对第二区域执行的第一热处理，用于减小第二子区域的透射率与第一子区域的透射率的差值；

在对材料层的第二区域进行第一热处理后，对材料层的第二区域进行第二热处理，以加热材料层的第二区域与离子

注入区

S?

S10

S?o?

S300

A

A

CN114121992

CN114121992

(57)摘要

本公开实施例公开了一种存储器的制作方法，包括：提供待处理结构，包括层叠设置的材料层、器件层以及被材料层覆盖的离子注入区；在对材料层的第一区域进行第一热处理后，对材料层的第一区域进行第二热处理，以加热材料层的第一区域和离子注入区；第二热处理的温度范围，大于第一热处理的温度范围；对材料层的第二区域进行第一热处理；材料层的第二区域包括与材料层的第一区域重叠的第一子区域，以及与第一区域并列设置的第二子区域；对第二区域执行的第一热处理，用于减小第二子区域的透射率与第一子区域的透射率的差值；在对材料层的第二区域进行第一热处理后，对材料层的第二区域

CN114121992A权利要求书1/2页

2

1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供待处理结构；其中，所述待处理结构包括层叠设置的材料层和器件层，所述器件层包括被所述材料层覆盖的离子注入区；

对所述材料层的第一区域进行第一热处理；

在对所述材料层的第一区域进行第一热处理后，对所述材料层的第一区域进行第二热处理，以加热所述材料层的第一区域和所述离子注入区；其中，所述第二热处理的温度范围，大于所述第一热处理的温度范围；

在对所述材料层的第一区域进行第二热处理后，对所述材料层的第二区域进行所述第一热处理；其中，所述材料层的第二区域包括与所述材料层的第一区域重叠的第一子区域，以及与所述第一区域并列设置的第二子区域；对所述第二区域执行的所述第一热处理，用于减小所述第二子区域的透射率与所述第一子区域的透射率的差值；

在对所述材料层的第二区域进行所述第一热处理后，对所述材料层的第二区域进行第二热处理，以加热所述材料层的第二区域与所述离子注入区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述对所述材料层的第一区域进行第一热处理，包括：向所述材料层的第一区域施加第一激光脉冲；

所述对所述材料层的第一区域进行第二热处理，包括：向所述材料层的第一区域施加第二激光脉冲，以加热所述材料层的第一区域和所述离子注入区；其中，所述第二激光脉冲的能量密度，大于所述第一激光脉冲的能量密度；

在对所述第二区域进行所述第一热处理之前，所述第一子区域的透射率大于所述第二子区域的透射率；所述对所述材料层的第二区域进行所述第一热处理，包括：向所述材料层的第二区域的所述第一子区域和所述第二子区域施加所述第一激光脉冲，以减小所述第一子区域的透射率；

所述对所述材料层的第二区域进行第二热处理，包括：向所述材料层的第二区域施加所述第二激光脉冲。

3.根据权利要求2所述的