微电子器件课件（第4版）微电子器件（2-3）.pdfVIP

2.3准费米能级与大注入效应

2.3准费米能级与大注入效应

2.3.1费米能级

2.3.1费米能级

在平衡状态时，存在统一的费米能级EF，即电子与空穴有

相同的费米能级，并且费米能级在半导体内处处相等。

平衡时的载流子浓度可表示为

平衡PN结的能带图

P区N区

2.3.2准费米能级

2.3.2准费米能级

在非平衡情形，不存在统一的费米能级，但是同一种粒子

在同一地点的能量分布仍与费米分布函数形式相同，为了能用

类似描述平衡状态的公式来描述非平衡状态的载流子浓度分布，

引入了准费米能级的概念。

准费米能级

设E与E分别为空穴与电子的准费米能级，且均可随x

EFp与EFn

FpFn

而变化，则非平衡状态时的空穴和电子浓度仍可表示为

由第2.1节已知在耗尽区中

比较以上两式可知，耗尽区中两种准费米能级之差为

外加正向电压时的PN结能带图

耗尽区中，

这个差值就是势垒高度比平衡时降低的数值。

外加反向电压时的PN结能带图

耗尽区中同样有

这个差值就是势垒高度比平衡时增高的数值。

2.3.3大注入效应

2.3.3大注入效应

1、小注入条件与大注入条件

1、小注入条件与大注入条件

PN结在正向电压下，势垒区的两侧均有非平衡少子注入。

以N区为例，当有pn注入时，由于静电感应作用，在N区会出

现相同浓度的n以使该区仍保持大体上的电中性。

n电中性

N区少子

N区多子且

小注入条件：注入某区边界附近的非平衡少子浓度远小于

小注入条件：注入某区边界附近的非平衡少子浓度远小于

该区的平衡多子浓度。即：

该区的平衡多子浓度。即：

在N区中x附近，

n

或在P区中（-x）附近，

p

N区

对于少子，正偏时通常可以忽略平衡少子；对于多子，小

对于少子，正偏时通常可以忽略平衡少子；对于多子，小

注入时可以忽略非平衡多子，即

注入时可以忽略非平衡多子，

大注入条件：注入某区边界附近的非平衡少子浓度远大于

大注入条件：注入某区边界附近的非平衡少子浓度远大于

该区的平衡多子浓度。即

该区的平衡多子浓度。即

在N区中x附近，

n

在P区中（-x）附近，

p

N区

2、大注入条件下的少子浓度边界条件

2、大注入条件下的少子浓度边界条件

当N区发生大注入时，在x处，

n

无论少子还是多子，大注入时都可忽略平衡部分。而两

无论少子还是多子，大注入时都可忽略平衡部分。

的非平衡部分是相等的，因此，p=n即np=p2。

nnnnn

另一方面，已知在有外加电压时，耗尽区中（包括耗尽区

边界处）的载流子