CN114121649A 半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN114121649A布日2022.03.01

(21)申请号202111402336.7

(22)申请日2021.11.23

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430205湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人姚森王猛朱宏斌张高升

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570

代理人李莎

(51)Int.CI.

HO1L21/311(2006.01)

H01L21/768(2006.01)

H01L23/522(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图7页

(54)发明名称

半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统

(57)摘要

CN114121649A本发明实施例公开了一种半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统。所述方法包括：提供停止层，以及位于所述停止层上的绝缘层；在所述绝缘层上形成具有开口的掩膜层；在所述掩膜层上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述开口的侧壁和底面，以在所述开口中围成具有凹底面的凹槽；通过所述凹底面，在所述绝

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提供停止层，以及位于所述停止层上的绝缘层

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在所述绝缘层上形成具有开口的掩膜层

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在所述掩膜层上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述开口的侧壁和底面，以在所述开口中围成具有凹底面的凹槽

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通过所述凹底面，在所述绝缘层中形成通孔

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1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供停止层，以及位于所述停止层上的绝缘层；

在所述绝缘层上形成具有开口的掩膜层；

在所述掩膜层上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述开口的侧壁和底面，以在所述开口中围成具有凹底面的凹槽；

通过所述凹底面，在所述绝缘层中形成通孔。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述通孔的横向宽度小于所述凹底面的横向宽度，所述横向为平行于所述停止层上表面的方向。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述掩膜层包括抗反射层和光刻胶层，所述开口包括第一子开口和第二子开口；

所述在所述绝缘层上形成具有开口的掩膜层的步骤，包括：

在所述绝缘层上依次形成所述抗反射层和所述光刻胶层，所述光刻胶层具有所述第一子开口；

通过所述第一子开口，在所述抗反射层中形成与所述第一子开口相连通的所述第二子开口。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述掩膜层上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述开口的侧壁和底面，以在所述开口中围成具有凹底面的凹槽的步骤，包括：

去除所述光刻胶层；

在所述抗反射层上形成所述牺牲层，所述牺牲层覆盖所述第二子开口的侧壁和底面，以在所述第二子开口中围成具有所述凹底面的所述凹槽。

5.根据权利要求3或4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述掩膜层还包括位于所述绝缘层与所述抗反射层之间的硬掩膜层；

所述通过所述凹底面，在所述绝缘层中形成通孔的步骤，包括：

对所述凹底面对应的牺牲层、硬掩膜层和绝缘层进行刻蚀，以在所述绝缘层中形成所述通孔。

6.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述掩膜层还包括位于所述绝缘层与所述抗反射层之间的硬掩膜层，所述开口还包括第三子开口；

所述在所述绝缘层上形成具有开口的掩膜层的步骤，还包括：

通过所述第二子开口，在所述硬掩膜层中形成与所述第二子开口相连通的所述第三子开口。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述掩膜层上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述开口的侧壁和底面，以在所述开口中围成具有凹底面的凹槽的步骤，包括：

去除所述光刻胶层；

在所述抗反射层上形成所述牺牲层，所述牺牲层覆盖所述第二子开口的侧壁以及所述第三子开口的侧壁和底面，以在所述第二子开口和所述第三子开口中围成具有所述凹底面的所述凹槽。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述掩膜层上形

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成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述开口的侧