CN114361137A Pip电容的制作方法 （广东省大湾区集成电路与系统应用研究院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114361137A

(43)申请公布日2022.04.15

(21)申请号202111644686.4

(22)申请日2021.12.29

(71)申请人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

地址510535广东省广州市开发区开源大

道136号A栋

申请人澳芯集成电路技术(广东)有限公司

(72)发明人许滨滨叶甜春朱纪军李彬鸿罗军赵杰许静嵇彤黎婉雯

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人王娇娇

(51)Int.CI.

HO1L23/64(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图12页

(54)发明名称

PIP电容的制作方法

(57)摘要

CN114361137A本申请公开了一种PIP电容的制作方法，先在器件表面沉积第一多晶硅层、介电层以及第二多晶硅层，再对所述第二多晶硅层和介电层进行刻蚀，以分别形成PIP电容的上极板和介电层，然后再对所述第一多晶硅层进行刻蚀，以分别形成PIP电容的下极板和栅极，最后再沉积侧墙氧化层，对侧墙氧化层进行刻蚀，在PIP电容的下极板两侧和栅极两侧形成侧墙。由此可知，本方案通过将形成侧墙的过程放置在形成PIP电容的上极板、介电层和下极板之后，避免了在PIP电容的下极板的侧壁处形成第二多晶硅层和介电层的残留问题，并通过构建ONO复合介电层代替传统单一的介电层，既消除了多晶硅的残留问题又提高

CN114361137A

CN114361137A权利要求书1/2页

2

1.一种PIP电容的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；

在所述第一表面内形成阱区；

在形成有所述阱区的所述半导体衬底上定义有源区，在除所述有源区对应的区域以外的所述半导体衬底表面内形成场氧化层，并在所述有源区对应的所述半导体衬底表面形成栅氧化层；

在所述场氧化层和所述栅氧化层背离所述半导体衬底的一侧表面形成第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层背离所述半导体衬底的一侧表面形成介电层；

在所述介电层背离所述第一多晶硅层的一侧表面形成第二多晶硅层；

对所述第二多晶硅层和所述介电层进行刻蚀，保留位于所述场氧化层部分区域表面上的第二多晶硅层和介电层，以分别形成PIP电容的上极板和介电层；

对所述第一多晶硅层进行刻蚀，保留位于所述场氧化层一侧表面的第一多晶硅层、以及位于所述栅氧化层部分区域表面的第一多晶硅层，以分别形成所述PIP电容的下极板和栅极；

通过离子注入技术，在所述栅极两侧的所述半导体衬底表面内形成轻掺杂漏极；

在整个器件表面沉积侧墙氧化层，对所述侧墙氧化层进行刻蚀，在所述栅极两侧、以及所述介电层和所述第二多晶硅层两侧形成侧墙；

通过离子注入技术，在所述栅极两侧的所述半导体衬底表面内形成源区和漏区；

进行孔层制作和金属布线。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第二多晶硅层和所述介电层进行刻蚀，包括：

在整个器件表面涂布第一光阻层；

对所述第一光阻层进行光刻显影，形成图形化的第一光阻层；

基于所述图形化的第一光阻层，对所述第二多晶硅层进行刻蚀，并以所述第二多晶硅层为硬掩膜板对所述介电层进行刻蚀，以保留位于所述场氧化层部分区域表面上的第二多晶硅层和介电层；

去除剩余的所述第一光阻层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第一多晶硅层进行刻蚀，包括：

在整个器件表面涂布第二光阻层；

对所述第二光阻层进行光刻显影，形成图形化的第二光阻层；

基于所述图形化的第二光阻层，对所述第一多晶硅层进行刻蚀，以保留位于所述场氧化层一侧表面的第一多晶硅层、以及位于所述栅氧化层部分区域表面的第一多晶硅层；

去除剩余的所述第二光阻层。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，通过离子注入技术，在所述栅极两侧的所述半导体衬底表面内形成轻掺杂漏极，包括：

在整个器件表面涂布第三光阻层；

对所述第三光阻层进行光刻显影，形成图形化的第三光阻层，并在所述栅极两侧形成第一离子注入窗口；

向所述第一离子注入窗口注入离子，形成位于所述栅极两侧的所述半导体衬底表面内

CN114361137A权利要求书