微电子器件课件（第4版）微电子器件（2-1）.pdfVIP

第2章PN结

第章结

2PN

P区N区

NN

AD

PN结是构成各种半导体器件的基本单元。

分析方法：将PN结分为4个区，在每个区中分别对半导体

器件基本方程进行简化和求解。

突变结：P区与N区的杂质浓

突变结

度都是均匀的，杂质浓度在冶金结

面（x=0）处发生突变。当一侧的

浓度远大于另一侧时，称为单边突

单边突

+

变结，分别记为PN单边突变结和

变结

+

PN单边突变结。

线性缓变结：冶金结面两侧的

线性缓变结

杂质浓度随距离作线性变化，杂质

浓度梯度a为常数。

2.1PN结的平衡状态

2.1PN结的平衡状态

平衡状态：PN结内部的温度均匀稳定，不存在外加电压、

平衡状态

光照、磁场、辐射等外作用。

本节将介绍PN结空间电荷区的形成，PN结的内建电场、

空间电荷区的形成内建电场

内建电势，及平衡时的PN结空间电荷区宽度。

内建电势空间电荷区宽度

2.1.1空间电荷区的形成

2.1.1空间电荷区的形成

P区：P区N区

平衡多子N-N+

N区：AD

p,nn,p

p0p0n0n0

2

2

利用np=n的关系，可得

np=n

00i

00i

P区：

平衡少子

N区：

可见，

空穴扩散：P区N区

扩散电流方向为，P区N区

电子扩散：P区N区

-+

P区留下N，N