《GBT+30868-2025 碳化硅单晶片微管密度测试方法》练习题试卷及参考答案.pdfVIP

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  • 2026-02-10 发布于浙江
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《GBT+30868-2025 碳化硅单晶片微管密度测试方法》练习题试卷及参考答案.pdf

《GBT+30868-2025碳化硅单晶片微管密度测试方

法》练习题试卷及参考答案

试卷总分:100分

考试时间:90分钟

一、单选题(共15题,每题2分,共30分)

1.GB/T30868-2025《碳化硅单晶片微管密度测试方法》的发布时间和实施日期

分别是?

A.2025-10-01,2025-10-01

B.2025-08-01,2026-03-01

C.2025-08-01,2026-05-01

D.2025-06-30,2026-06-30

2.该标准替代了以下哪两个标准?

A.GB/T30868—2014和GB/T31351—2014

B.GB/T30868—2018和GB/T31867—2014

C.GB/T30868—2020和GB/T31351—2020

D.GB/T30868—2010和GB/T33151—2014

3.根据标准第3章(术语和定义),以下哪种晶片不在“碳化硅单晶片”的定义

范围内?

A.切割片

B.研磨片

C.抛光片

D.外延片

4.标准中规定的化学腐蚀法测试环境,对温度的要求是?

A.20℃±5℃

B.23℃±5℃

C.25℃±3℃

D.常温即可

5.在化学腐蚀法中,用于熔融加热氢氧化钾的坩埚材料应为?

A.镍坩埚或金坩埚

B.镍坩埚或银坩埚

C.铂坩埚或刚玉坩埚

D.氧化铝坩埚

6.化学腐蚀法使用的氢氧化钾应为?

A.分析纯

B.优级纯

C.电子级

D.化学纯

7.根据5.5.2.2,在化学腐蚀法中,熔融氢氧化钾的温度应保持在?

A.300℃±10℃

B.450℃±10℃

C.500℃±10℃

D.550℃±20℃

8.化学腐蚀法中,碳化硅单晶片在熔融氢氧化钾中的腐蚀时间要求是?

A.5min~10min

B.15min~25min

C.25min~35min

D.30min~60min

9.采用化学腐蚀法的观测设备,其放大倍数要求是?

A.10倍~100倍

B.20倍~500倍

C.50倍~1000倍

D.100倍~1000倍

10.计算化学腐蚀法平均微管密度的公式(1)中,S表示?

A.单个观察视场的面积

B.所有观察视场的总面积

C.样品测试区域的总面积

D.样品的实际面积

11.偏振光法适用于哪种碳化硅单晶片?

A.仅限单面抛光片,且粗糙度小于0.5nm

B.单面或双面抛光片,且粗糙度小于0.5nm

C.仅限双面抛光片,且粗糙度小于1.0nm

D.任何表面状态的样品均可

12.偏振光法测试时,样品表面法线方向与(0001)方向的偏离角要求是?

A.介于-5°~+5°

B.介于-3°~+3°

C.介于-8°~+8°

D.不大于10°

13.偏振光法使用的设备是具有哪种功能的光学显微镜?

A.反射式白光

B.透射正交偏光

C.激光共聚焦

D.微分干涉

14.根据偏振光法测试原理,当样品某处存在微管时,探测器得到的光强信号会

有什么变化?

A.信号完全消失

B.信号变弱但均匀

C.信号反映出差别,出现亮点或异常

D.信号频率发生改变

15.以下哪个干扰因素不属于偏振光法需要考虑的?

A.样品表面沾污

B.样品表面粗糙度(0.5nm)

C.样品表面偏离角过大会影响微管形状

D.测试环境的相对湿度

二、多选题(共10题,每题3分,共30分)

1.根据GB/T30868-2025,微管密度测试方法包括哪两种?

A.化学腐蚀法

B.金相抛光法

C.偏振光法

D.X射线衍射法

2.关于化学腐蚀法的原理,以下哪些描述是正确的?

A.采用择优化学腐蚀技术显示微管缺陷。

B.微管腐蚀后呈现六边形结构且具有一定深度的腐蚀坑。

C.直接通过光学测量样品厚度变化计算微管密度。

D.单位面积上微管的个数即微管密度。

3.化学腐蚀法可以使用的观测仪器包括:

A.原子力显微镜

B.光学显微镜

C.扫描电子显微镜

D.紫外分光光度计

4.根据5.5.1(试样准备),以下哪些说法是正确的?

A.切割片、研磨片需要用化学抛光液进行抛光。

B.研磨片可以用硅溶胶抛光液进行抛光。

C.任何类型的碳化硅单晶片都可以直接进行腐蚀。

D.抛光片在腐蚀前不做任何处

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