CN111341734A 半导体封装和制作半导体封装的方法 （万国半导体(开曼)股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111341734A

(43)申请公布日2020.06.26

(21)申请号201911271514.X

(22)申请日2019.12.12

(30)优先权数据

16/224,3542018.12.18US

HO1L21/56(2006.01)

HO1L25/07(2006.01)

HO1L23/12(2006.01)

(71)申请人万国半导体(开曼)股份有限公司地址英属西印度群岛，开曼群岛，大开曼岛

KY1-1107,邮政信箱709,玛丽街122

号，和风楼

(72)发明人张晓天薛彦迅王隆庆何约瑟牛志强

(74)专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司31323

代理人张妍刘琰

(51)Int.CI.

HO1L23/31(2006.01)

权利要求书3页说明书7页附图25页

(54)发明名称

半导体封装和制作半导体封装的方法

(57)摘要

CN111341734A本发明的半导体封装具有多根支柱或部分多根带状引脚、多个半导体器件、一个或两个塑封层以及多个电气互连。半导体封装不包括A电线和夹子。应用一特定方法，制作半导体封装。该方法包括：提供可拆卸载体；形成多根支柱或多根带状引脚；固定多个半导体器件；形成一个或

CN111341734A

望封层

102

128

CN111341734A权利要求书1/3页

2

1.一种制造半导体封装的方法，其特征在于，包含如下步骤：

提供一可拆卸载体；

在所述可拆卸载体顶面上形成多根支柱；

将多个半导体器件固定至可拆卸载体顶面；

形成第一塑封层包围多根支柱的大部分和多个半导体器件的大部分，以使所述多根支柱的顶面和所述多个半导体器件的顶面电极暴露于第一塑封层的顶面；

在第一塑封层的顶面上涂覆第一光阻层；

在第一曝光过程中，应用第一图案掩蔽，形成第一光阻图案；

在第一塑封层暴露顶面和多个半导体器件的顶面电极上涂覆第一再分布层(RDL),形成第一多个电气互连；

清除所述第一光阻图案；

形成第二塑封层包覆所述第一多个电气互连；

拆除所述可拆卸载体；

在第一塑封层底面和多个半导体器件上涂覆第二光阻层；

在第二曝光过程中，应用第二图案掩蔽，形成第二光阻图案；

在第一塑封层暴露底面和多个半导体器件上涂覆第二再分布层(RDL),形成第二多个电气互连；以及

清除所述第二光阻图案。

2.如权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，

所述可拆卸载体由不锈钢材料制成；所述多根支柱由铜材料制成。

3.如权利要求2所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，

所述多个半导体器件包括：

一集成电路(IC);

一第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET;以及

一第二MOSFET。

4.如权利要求3所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，

第一MOSFET包含其顶面上的一栅电极和一源电极；且

第二MOSFET包含第二MOSFET底面上的一栅电极和一源电极。

5.如权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，

形成第一塑封层的步骤进一步包含形成第一包覆成型封装，随后是磨削或研磨第一包覆成型封装顶部的步骤。

6.如权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，

还包含涂覆第一种晶层于第一塑封层的顶面；且在清除所述第一光阻图案的步骤之后，进一步包含清除第一种晶层。

7.如权利要求6所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，

在将所述第二光阻层涂覆于第一塑封层底面和多个半导体器件之上这一步骤前，还包

括

将第二种晶层涂覆于第一塑封层底面和多个半导体器件之上；且

在清除所述第二光阻图案这一步骤之后，进一步包括清除第二种晶层。

CN111341734A权利要求书2/3页

3

8.如权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，

在清除所述第二光阻图案这一步骤之后，还包括应用切割分离过程，形成半导体封装。

9.如权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，

所述多根支柱的高度稍大于或等于多个半导体器件的厚度。

10.如权利要求1所述的制造半导体封装的方法