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2026年半导体技术知识竞赛考试题库及答案

一、单项选择题（每题1分，共30分）

1.2026年量产的3nm级FinFET工艺中，栅极间距（CPP）首次被压缩至多少纳米？

A.42nm??B.45nm??C.48nm??D.51nm

答案：A

解析：台积电N3X与三星3GAP均将CPP缩至42nm，通过高迁移率锗硅通道+背面供电网络实现。

2.背面供电网络（BSPDN）在3nm节点引入的核心优势是：

A.降低栅极电容??B.提升金属层EM寿命??C.将IR-drop减少18%??D.消除热载流子效应

答案：C

解析：BSPDN把电源线从正面拥挤的BEOL转移到晶圆背面，使正面互连层数减少2层，IR-drop从42mV降至34mV。

3.2026年商用高数值孔径EUV（NA=0.55）单次曝光可实现的最低半周期（hp）为：

A.8nm??B.10nm??C.12nm??D.14nm

答案：A

解析：根据瑞利判据hp=k?λ/NA，k?=0.25，λ=13.5nm，NA=0.55，得hp≈6.1nm，但考虑工艺窗口与随机缺陷，量产保守值8nm。

4.在CFET（ComplementaryFET）结构中，nFET与pFET垂直堆叠，二者之间隔离层采用：

A.SiO???B.Al?O???C.SiCN??D.真空隙

答案：D

解析：真空隙介电常数≈1，可将层间寄生电容降低35%，IMEC2025年实验已验证可靠性10?cycles。

5.2026年DRAM1γ节点电容深宽比首次突破：

A.60:1??B.70:1??C.80:1??D.90:1

答案：C

解析：SK海力士采用原子层沉积TiN/ZrO?/TiN三明治结构，配合牺牲模制孔工艺，实现80:1深宽比，电容值保持25fF/cell。

6.用于2nm节点的Ru单原子层互连，其体电阻率比Cu低：

A.5%??B.10%??C.15%?D.20%

答案：B

解析：Ru在3nm厚度下表面散射减弱，测得体电阻率7.2μΩ·cm，较Cu8.0μΩ·cm低10%，且免扩散阻挡层。

7.2026年Chiplet互连标准UCIe2.0在25mm2die上，每平方毫米可提供的物理通道数为：

A.320??B.640??C.1280??D.2560

答案：C

解析：UCIe2.0采用45μm微凸块+0.3pJ/b差分信号，布线密度1280ch/mm2，带宽密度2.4Tbps/mm2。

8.在GaN功率器件中，2026年商用p-GaN栅极HEMT的阈值电压典型值为：

A.+1.0V??B.+1.5V??C.+2.0V??D.+2.5V

答案：C

解析：通过Mg掺杂激活率提升至5%，栅极金属功函数匹配，阈值+2.0V，实现常关与5MHz开关。

9.2026年IntelPowerVia背面供电技术的TSV深宽比为：

A.10:1??B.15:1??C.20:1??D.25:1

答案：C

解析：PowerVia采用深铜TSV，深度12μm，直径0.6μm，深宽比20:1，填充时间30min，无空洞。

10.用于3nm节点的MoS?2DFET，其亚阈值摆幅最低记录为：

A.50mV/dec??B.55mV/dec??C.60mV/dec??D.65mV/dec

答案：A

解析：MIT2025年实验通过铁电HfZrO栅介质实现负电容，SS=50mV/dec@300K，漏电流1pA/μm。

11.2026年商用MRAM采用SOT-MRAM替代STT-MRAM的核心原因是：

A.写速度200ps??B.读干扰为零??C.无需Toggle机制??D.写能耗降低90%

答案：D

解析：SOT利用重金属/CoFeB界面自旋轨道矩，写电流不通过隧道结，能耗从2.5pJ降至0.25pJ。

12.在EUV光刻胶中，2026年主流化学放大胶（CAR）的感光剂为：

A.三氟甲磺酸锍??B.四丁基锍??C.六氟锑酸碘??D.二苯基碘

答案：A

解析：三氟甲磺酸锍在13.5nm光子吸收截面大，酸扩散长度5nm，线宽粗糙度（LWR）降至2.1nm。

13.2026年台积电CoWoS-L封装最大中介层面积达到：

A.2500mm2??B.3000mm2??C.3500mm2??D.4000mm2

答案：C

解析：采用5/5μm线宽/间距的2×reticle拼接，3500mm2可集成4颗3nmChiplet+8HBM4。

14.2026年三星X-Cube