CN110943271B 一种电场调控的双通道太赫兹滤波器及制作方法 （哈尔滨工程大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN110943271B公告日2021.06.11

(21)申请号201911221380.0

(22)申请日2019.12.03

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN110943271A

(43)申请公布日2020.03.31

(73)专利权人哈尔滨工程大学

地址150001黑龙江省哈尔滨市南岗区南

通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室

(72)发明人樊亚仙徐兰兰刘欢薛九零

陶智勇

(51)Int.CI.

HO1P1/20(2006.01)

HO1P11/00(2006.01)

GO2F1/13(2006.01)

(56)对比文件

CN205911404U,2017.01.25

CN205911404U,2017.01.25CN105932523A,2016.09.07

CN108598631A,2018.09.28CN208273367U,2018.12.21审查员吕原

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种电场调控的双通道太赫兹滤波器及制

作方法

(57)摘要

CN110943271B本发明涉及一种电场调控的双通道太赫兹滤波器领域。所述滤波器包括：第一周期起伏波导A?,第二周期起伏波导A?,第三周期起伏波导A?,第一圆柱形直波导B?,第二圆柱形直波导B?,所述五个波导的连接方式为：A?粗端口—B?—A?细端口—A?粗端口—B?—A?细端口；第一圆柱形直波导B?的半径与第一周期起伏波导A?的粗端口半径相同，第二圆柱形直波导B?与第二周期起伏波导A?的粗端口半径相同；第一圆柱形直波导B?和第二圆柱形直波导B?的长度相同。本发明实现了太赫兹波段的电场调控双通道滤波的功能；

CN110943271B

CN110943271B权利要求书1/1页

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1.一种电场调控的双通道太赫兹滤波器，包括5段不同结构的波导，其特征在于：第一周期起伏波导A?,第二周期起伏波导A?,第三周期起伏波导A?,第一圆柱形直波导B?,第二圆柱形直波导B?,五个波导的连接方式为：A?粗端口—B?—A?细端口—A?粗端口—B?—A?细端口；周期起伏波导A?、A?和A?的半径起伏系数不同，即它们的粗半径和细半径不相同，第一圆柱形直波导B?的半径与第一周期起伏波导A?的粗端口半径相同，第二圆柱形直波导B?与第二周期起伏波导A?的粗端口半径相同，第一圆柱形直波导B?和第二圆柱形直波导B?的长度相同。

2.根据权利要求1所述的一种电场调控的双通道太赫兹滤波器，其特征在于：所述电场调控的双通道太赫兹滤波器的波导管壁由三层物质组成，包括聚四氟乙烯PTFE基底内部的弧形带有微孔的双层石墨烯电极层，聚四氟乙烯PTFE基底层，和在聚四氟乙烯PTFE基底外表面涂覆的金层或银层或铝层作为波导外管壁，波导管内填充有E7型液晶。

3.一种权利要求1或2所述的电场调控的双通道太赫兹滤波器的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)使用MEMS深度光刻工艺在高密度聚乙烯上加工出波导结构以作为基底；

(2)利用CVD方法制作的带有微孔的双层石墨烯转移到高密度聚乙烯基底上；

(3)在石墨烯上涂一层聚四氟乙烯；

(4)利用MEMS深度光刻工艺在聚四氟乙烯上加工出波导结构；

(5)利用X-LIGA工艺在上述结构的聚四氟乙烯基底的外表面涂覆金层作为波导管壁；

(6)加热的方法除去高密度聚乙烯；

(7)将波导芯内填充上E7型液晶，再利用聚四氟乙烯将波导两个端口密封住。

4.根据权利要求3所述的种电场调控的双通道太赫兹滤波器的制作方法，其特征是：所述步骤(3)中的聚四氟乙烯，其厚度不低于1μm。

5.根据权利要求3所述的种电场调控的双通道太赫兹滤波器的制作方法，其特征是：所述步骤(4)中的波导结构，其厚度为1μm。

6.根据权利要求3所述的种电场调控的双通道太赫兹滤波器的制作方法，其特征是：所述步骤(5)中的金层波导管壁，其厚度为1μm。

CN110943271B说