CN110943271A 一种电场调控的双通道太赫兹滤波器及制作方法 （哈尔滨工程大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN110943271A布日2020.03.31

(21)申请号201911221380.0

(22)申请日2019.12.03

(71)申请人哈尔滨工程大学

地址150001黑龙江省哈尔滨市南岗区南

通大街145号哈尔滨工程大学科技处

知识产权办公室

(72)发明人樊亚仙徐兰兰刘欢薛九零

陶智勇

(51)Int.CI.

H01P1/20(2006.01)

H01P11/00(2006.01)

GO2F1/13(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种电场调控的双通道太赫兹滤波器及制

作方法

(57)摘要

CN110943271A本发明涉及一种电场调控的双通道太赫兹滤波器领域。所述滤波器包括：第一周期起伏波导A?,第二周期起伏波导A?,第三周期起伏波导A?,第一圆柱形直波导B?,第二圆柱形直波导B?,所述五个波导的连接方式为：A1粗端口—B?—A?细端口—A?粗端口—B?—A?细端口；第一圆柱形直波导B?的半径与第一周期起伏波导A?的粗端口半径相同，第二圆柱形直波导B2与第二周期起伏波导A?的粗端口半径相同；第一圆柱形直波导B1和第二圆柱形直波导B?的长度相同。本发明实现了太赫兹波段的电场调控双通道滤波的功能；

CN110943271A

CN110943271A权利要求书1/1页

2

1.一种电场调控的双通道太赫兹滤波器，包括：第一周期起伏波导A?,第二周期起伏波导A?,第三周期起伏波导A?,第一圆柱形直波导B?,第二圆柱形直波导B?,其特征是：所述五个波导的连接方式为：A?粗端口—B?—A?细端口—A?粗端口—B?—A?细端口；第一圆柱形直波导B?的半径与第一周期起伏波导A?的粗端口半径相同，第二圆柱形直波导B?与第二周期起伏波导A?的粗端口半径相同；第一圆柱形直波导B?和第二圆柱形直波导B?的长度相同。

2.根据权利要求1所述的一种电场调控的双通道太赫兹滤波器，其特征是：所述电场调控的双通道太赫兹滤波器为三层管状结构，电场调控的双通道太赫兹滤波器的基底材料为聚四氟乙烯PTFE层，聚四氟乙烯PTFE的内部为弧形石墨烯电极层，在聚四氟乙烯PTFE基底的外表面涂覆金层或银层或铝层作为波导管壁，波导管内填充有E7型液晶；第一周期起伏波导A?的细口端和第三周期起伏波导A?的粗口端采用聚四氟乙烯PTFE密封。

3.一种电场调控的双通道太赫兹滤波器的制作方法，其特征是：所述方法包括以下步骤：

(1)使用MEMS深度光刻工艺在高密度聚乙烯上加工出波导结构以作为基底；

(2)利用CVD方法制作的带有微孔的双层石墨烯转移到高密度聚乙烯基底上；

(3)在石墨烯上涂一层聚四氟乙烯；

(4)利用MEMS深度光刻工艺在聚四氟乙烯上加工出波导结构；

(5)利用X-LIGA工艺在上述结构的聚四氟乙烯基底的外表面涂覆金层作为波导管壁；

(6)加热的方法除去高密度聚乙烯；

(7)将波导芯内填充上E7型液晶，再利用聚四氟乙烯将波导两个端口密封住。

4.根据权利要求3所述的种电场调控的双通道太赫兹滤波器的制作方法，其特征是：所述步骤(3)中的聚四氟乙烯，其厚度不低于1μm。

5.根据权利要求3所述的种电场调控的双通道太赫兹滤波器的制作方法，其特征是：所述步骤(4)中的波导结构，其厚度为1μm。

6.根据权利要求3所述的种电场调控的双通道太赫兹滤波器的制作方法，其特征是：所述步骤(5)中的金层波导管壁，其厚度为1μm。

CN110943271A说明书1/5页

3

一种电场调控的双通道太赫兹滤波器及制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及太赫兹功能器件领域，特别涉及一种电场调控的双通道太赫兹滤波器领域。

背景技术

[0002]太赫兹滤波器是太赫兹系统中一种重要的功能器件，能够有效的滤除不必要的频率成分，去除系统噪声，大幅度的提高工作效率。已被提出的滤波器结构有光子晶体型、表面等离子体型和波导型等等。相对于其它类型的滤波器，波导型的滤波器具有结构简单、易加工、插入损耗低、易