CN110690291A 增强型的Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110690291A

(43)申请公布日2020.01.14

(21)申请号201910945060.3

(22)申请日2019.09.30

(71)申请人西安电子科技大学

C23C14/30(2006.01)

C23C14/18(2006.01)

C23C14/16(2006.01)

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩崔晨霞蔡云匆封兆青胡壮壮田旭升张进成郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华黎汉华

(51)Int.CI.

H01L29/78(2006.01)

H01L21/425(2006.01)

H01L21/34(2006.01)

C23C16/455(2006.01)

C23C16/40(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

增强型的Ga?03金属氧化物半导体场效应晶体管及制作方法

(57)摘要

CN110660291A本发明公开了一种增强型Ga?O?金属氧化物半导体场效应晶体管及制作方法，主要解决现有同类器件制作复杂的问题，其自下而上包括衬底，外延层，外延层上设有源漏电极，绝缘栅介质层，绝缘栅介质层上设有栅电极。该绝缘栅介质层厚度为10～30nm,该外延层为n型Ga?03外延层，厚度为150～300nm,电子浓度为2.0×101?~1.0×101?cm?3。该器件的制作关键是在淀积绝缘栅介质层前，设腔室温度为200～500℃,在ALD反应腔中通入03对n型Ga?O?沟道层表面进行5~15min的处理。本发明减小了器件的界面态密度

CN110660291A

绝缘栅介质

绝缘栅介质

栅电极

漏电极

Si+

nGa?O?

衬底

源电极

Si+

CN110690291A权利要求书1/1页

2

1.一种增强型的Ga?O?金属氧化物半导体场效应晶体管，自下而上包括衬底，外延层，外延层上设有源漏电极，绝缘栅介质层，绝缘栅介质层上设有栅电极，其特征在于：

外延层为电子浓度为2.0×101?~1.0×101?cm?3,厚度为150～300nm的n型Ga?0?;

绝缘栅介质层厚度为10～30nm。

2.根据权利要求1所述的效应晶体管，其特征在于：绝缘栅介质包括Si?N4、Al?O?、HfO?和HfSi0中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的效应晶体管，其特征在于：衬底材料为蓝宝石或Mg掺杂型Ga?O?。

4.一种增强型的Ga?03金属氧化物半导体场效应晶体管的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

(1)对衬底进行清洗，即先用丙酮溶液清洗，再用乙醇溶液清洗，最后用流动的去离子水清洗并用高纯氮气吹干；

(2)将清洗后的衬底放入PLD设备中，在衬底上生长厚度为100～300nm、电子浓度为2.0×101?~1.0×101?cm?3的Ga?O?膜；

(3)将生长了Ga?03膜的样品进行光刻，再放入离子注入机中进行Si离子注入，注入能量为8KeV,注入剂量为1×101?cm-2,注入角度为6°,注入区域为源漏区域；再在温度为950℃的氮气环境下退火1min,得到电子浓度为2×101?~1×102?cm?3、掺杂深度为50～150nm的高掺杂n型Ga?O?区域；

(4)将完成离子注入的样品进行清洗，然后放入等离子体反应室中去除光刻胶掩膜；

(5)将去除光刻胶的样品，再次进行光刻掩膜；

(6)将光刻掩膜后的样品放入电子束蒸发台中依次蒸发金属Ti和Au,其中金属Ti厚度为20-50nm,金属Au厚度为100～200nm,然后进行剥离和退火，形成源、漏电极；

(7)去除光刻胶掩膜并进行清洗，将清洗后的样品放入原子层沉积ALD反应腔中，在温度为200～500℃下对样品表面通入5～15min的O?流进行表面处理；

(8)将表面处理后的样品通过ALD沉积厚度为10～30nm的绝缘栅介质；

(9)将淀积了绝缘栅介质后的样品依次进行光刻和金属蒸发，蒸发的金属依次为Ni和Au,其中金属Ni厚度为20～50nm,金属Au厚度为100～200nm,最后进行剥离，形成栅电极，完成器件的制备。

5.根据权利要求4所述的方法，