CN110718591A 基于凹槽型保护环结构的AlGaN-GaN肖特基势垒二极管及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN110718591A布日2020.01.21

(21)申请号201911097995.7

(22)申请日2019.11.12

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人张进成宋秀峰赵胜雷朱丹张苇杭张雅超刘爽刘俊伟李仲扬郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华张问芬

(51)Int.CI.

H01L29/872(2006.01)

H01L29/06(2006.01)

H01L21/329(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

基于凹槽型保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管及制作方法

(57)摘要

CN110718591A本发明公开了一种基于凹槽型保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管器件及制作方法，主要解决现有技术击穿电压较低，可靠性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)、势垒层(5),势垒层(5)上方设有阳极(7)和阴极(8),势垒层(5)中的阳极下方刻有深度为10～15nm,宽度为1～3μm的凹槽，形成凹槽型保护环(6),该阳极与阴极之间为钝化层(9)。本发明由于在势垒层中设有凹槽型保护环，降低了阳极下方边缘电场峰值，提高了

CN110718591A

阳极7

凹槽型

阴极8

保护环[钝化层9

6

势垒层5

CN110718591A权利要求书1/2页

2

1.一种基于凹槽型保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管，自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)和势垒层(5),势垒层(5)的上方设有阳极(7)和阴极(8),该阳极(7)与阴极(8)之间为钝化层(9),其特征在于，势垒层(5)中的阳极下方刻有深度为10～15nm,宽度为1～3μm的凹槽，形成凹槽型保护环(6),用于降低阳极下方边缘电场峰值，提高击穿电压。

2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，衬底(1)采用蓝宝石或Si或SiC或GaN体材料。

3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于：

成核层(2)采用AlN,厚度为30～100nm。

缓冲层(3)采用GaN,厚度为1～6μm。

4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于：

插入层(4)采用A1N,厚度为0.5～2nm;

势垒层(5)采用AlGaN,厚度为15～30nm。

5.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于：钝化层(9)采用SiN或SiO?或Al?03或HfO?介质。

6.一种基于F离子保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)对衬底表面进行消除悬挂键的预处理，将预处理后的衬底置于H?氛围的反应室在950℃的高温下进行热处理，再采用MOCVD工艺，在衬底上外延生长厚度为30～100nmA1N成核层；

2)在A1N成核层上采用MOCVD工艺淀积厚度为1～6μm的本征GaN缓冲层；

3)在GaN缓冲层上采用MOCVD工艺淀积厚度为0.5～2nm的A1N插入层；

4)在A1N插入层上采用MOCVD工艺淀积厚度为15～30nm的AlGaN势垒层；

5)在AlGaN势垒层上制作掩膜，并采用磁控溅射工艺在该势垒层上方沉积阴极金属，并在830℃的高温下进行退火，再在势垒层上方的另一侧上，采用磁控溅射工艺沉积阳极金属，该阴极金属采用Ti/Al或Ti/Al/Ni/Au或Ti/Al/Mo/Au,该阳极金属采用Ni/Au/Ni或Ni/Au或W/Au或Mo/Au;

6)在AlGaN势垒层上再次制作掩膜，并采用RIE工艺使用Cl?和BCl?两种气体对开孔区域进行刻蚀，形成深度为10～15nm,宽度为1～3μm的凹槽型保护环，其中，Cl2的流量为10sccm,BCl?的流量为20sccm;

7)将进行完上述步骤的外延片放入等离子体增强化学气相淀积PECVD反应室内，进行钝化层沉积；

8)对阳极和阴极上的钝化层进行光刻、刻蚀，形成阳极接触孔和阴极接触孔，完成整个器件的制作。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述步骤1)和步骤3)的MOC