CN110752211A 基于垂直pin二极管双向限幅电路及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110752211A

(43)申请公布日2020.02.04

(21)申请号201810811159.X

(22)申请日2018.07.23

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人马晓华郭建新郝跃

祝杰杰周小伟侯斌宓珉翰

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230

代理人闫家伟

(51)Int.CI.

HO1L27/06(2006.01)

HO1L21/56(2006.01)

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/868(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图9页

(54)发明名称

基于垂直PIN二极管双向限幅电路及制作方法

(57)摘要

CN110752211A本发明涉及一种基于垂直PIN二极管双向限幅电路的制作方法，包括步骤：刻蚀AlGaN势垒层，在GaN缓冲层上形成正向PIN二极管制作区域和反向PIN二极管制作区域；在刻蚀后的AlGaN势垒层上制作GaN基高频器件；在正向PIN二极管制作区域制作正向PIN二极管；在反向PIN二极管制作区域制作反向PIN二极管；在GaN基高频器件、正向PIN二极管和反向PIN二极管上制作互联层，完成双向限幅电路的制作。本发明实施例的双向限幅电路具有电路面积小、低开态电阻、低关态

CN110752211A

刻蚀所述

刻蚀所述AlGaN势垒层(104),在所述GaN缓

冲层(103)上形成正向PIN二极管制作区域(10

5)和反向PIN二极管制作区域(106)

在刻蚀后的所述AlGaN势垒层(104)上制作GaN基高频器件

在所述正向PIN二极管制作区域(105)制作正向PIN二极管

在所述反向PIN二极管制作区域(106)制作反向PIN二极管

在所述GaN基高频器件、所述正向PIN二极管和

所述反向PIN二极管上制作互联层(502),得到

双向限幅电路

CN110752211A权利要求书1/2页

2

1.一种基于垂直PIN二极管双向限幅电路的制作方法，其特征在于，所述双向限幅电路在包含衬底层(101)、成核层(102)、GaN缓冲层(103)和A1GaN势垒层(104)的样片上制作而成，包括步骤：

S1、刻蚀所述AlGaN势垒层(104),在所述GaN缓冲层(103)上形成正向PIN二极管制作区域(105)和反向PIN二极管制作区域(106);

S2、在刻蚀后的所述A1GaN势垒层(104)上制作GaN基高频器件；

S3、在所述正向PIN二极管制作区域(105)制作正向PIN二极管；

S4、在所述反向PIN二极管制作区域(106)制作反向PIN二极管；

S5、在所述GaN基高频器件、所述正向PIN二极管和所述反向PIN二极管上制作互联层(502),得到双向限幅电路。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S2包括：

S201、在刻蚀后的所述AlGaN势垒层上制作源电极(201)和漏电极(202),形成源电极欧姆接触与漏电极欧姆接触；

S202、刻蚀所述AlGaN势垒层(104),形成有源区的电隔离(203);

S203、在所述AlGaN势垒层(104)、所述源电极(201)和所述漏电极(202)上生长介质层材料，形成介质层(204);

S204、刻蚀所述介质层(204),形成凹槽结构(205);

S205、在所述介质层(204)上光刻栅区域，在所述栅区域和所述凹槽结构(205)蒸发栅电极金属，形成栅电极(206);

S206、在所述介质层(204)和所述栅电极(206)表面淀积第一保护层材料，形成第一保护层(207),得到所述GaN基高频器件。

3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述栅电极(206)为T形结构。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S3包括：

S301、在所述正向PIN二极管制作区域(105)依次外延N+层材料、I层材料、P+层材料，分别形成正向N+层(301)、正向I层(302)、正向P+层(303);

S302、在所述正向P+层(303)光刻正向P+电极区域，在所述正向P+电极区域蒸发电极金