CN110794617A 一种基于银纳米线的制作取向膜的方法 （江苏集萃智能液晶科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110794617A

(43)申请公布日2020.02.14

(21)申请号201810864257.X

(22)申请日2018.08.01

(71)申请人江苏集萃智能液晶科技有限公司地址215500江苏省苏州市常熟市高新技

术产业开发区黄浦江路280号

(72)发明人赵辉

(74)专利代理机构

代理人甘玲

季洋

北京嘉和天工知识产权代理事务所(普通合伙)11269缪策

(51)Int.CI.

G02F1/1337(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图1页

(54)发明名称

一种基于银纳米线的制作取向膜的方法

(57)摘要

本发明公开了一种基于银纳米线的制作取向膜的方法，其包括步骤：a.配制银纳米线溶液；

CN110794617Ab.配制高分子基质溶液；c.将银纳米线溶液与高分子基质溶液混合，并蒸发溶剂，得到高分子基质和银纳米线的混合溶液；d.将混合溶液制备成待拉伸薄膜；e.将待拉伸薄膜单方向拉伸得到拉伸后的薄膜；f.干燥拉伸后的薄膜，得到取向膜。本发明的基于银纳米线的制作取向膜的方法可以制备具有良好银纳米线排布取向的柔性高分子薄膜，适用于以化学合成的银纳米线为原料，

CN110794617A

CN110794617A权利要求书1/1页

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1.一种基于银纳米线的制作取向膜的方法，其特征在于，包括步骤：

a.配制银纳米线溶液；

b.配制高分子基质溶液；

c.将所述银纳米线溶液与所述高分子基质溶液混合，并蒸发溶剂，得到高分子基质和银纳米线的混合溶液；

d.将所述混合溶液制备成待拉伸薄膜；

e.将所述待拉伸薄膜单方向拉伸得到拉伸后的薄膜；

f.干燥所述拉伸后的薄膜，得到所述取向膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤a中所述银纳米线溶液中的银纳米线直径不大于150纳米，长径比为500-2000。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤a中所述银纳米线溶液中的银纳米线直径为10-100纳米。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤a中所述银纳米线溶液的浓度不大于100mg/mL。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤b中高分子基质溶液为线性高分子PVA或PVB的溶液。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述PVA或PVB溶液的浓度为4wt%-50wt%。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤a配制银纳米线溶液和步骤b配制高分子基质溶液中采用的溶剂为水、乙醇、异丙醇、丁醇中的一种或更多种。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤c中得到高分子基质和银纳米线的混合溶液中，银纳米线占混合溶液的质量百分比为0.05wt%-12.5wt%。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤d中，制备待拉伸薄膜步骤为将步骤c配制的所述混合溶液均匀涂布到基材上形成薄膜。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在步骤f后将完全干燥的取向膜从基材上剥离的步骤。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，步骤d中采用湿法涂布的方式将步骤c配制的所述混合溶液均匀涂布到基材上。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述湿法涂布选自迈耶棒涂布、刮刀涂布、流延涂布、狭缝涂布、喷涂、挤出涂布、辊涂、斜板式涂布中的至少一种。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤d中直接将步骤c配制的所述混合溶液辊涂形成待拉伸薄膜。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，拉伸倍数为1-10倍。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待拉伸薄膜的厚度为6-100微米，干燥后得到的所述取向膜的厚度为0.5-40微米。

CN110794617A说明书1/5页

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一种基于银纳米线的制作取向膜的方法

技术领域

[0001]本发明涉及薄膜制备技术领域，特别涉及一种基于银纳米线的制作取向膜的方

法。

背景技术

[0002]目前，银纳米线应用在透明导电薄膜方面已经趋于成熟，但对于采用银纳米线制作取向膜的应用大多还处于研发中，银纳米线的取向难以采用化学