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- 2026-02-10 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN110838468A
(43)申请公布日2020.02.25
(21)申请号201911135495.8
(22)申请日2019.11.19
(71)申请人京东方科技集团股份有限公司
地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人成都京东方光电科技有限公司
(72)发明人潘康观曹惠敏魏悦邓雷邓伟黎飞
(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291
代理人刘源
(51)Int.CI.
HO1L21/77(2017.01)
H01L27/12(2006.01)
权利要求书2页说明书5页附图6页
(54)发明名称
显示基板的制作方法、显示基板、显示面板及显示装置
(57)摘要
CN110838468A本发明公开了一种显示基板的制作方法、显示基板、显示面板及显示装置,包括:提供一衬底基板;在衬底基板上依次形成刻蚀阻挡层和缓冲层;在缓冲层上依次形成有源层的图案、第一栅极层的图案、第二栅极层的图案、层间介质层的图案和第一源漏极层的图案;在第一源漏极层上形成绝缘层;采用一次构图工艺,在弯折区域形成贯穿绝缘层、缓冲层和刻蚀阻挡层的第一镂空结构。通过将相关技术中绝缘层的一道掩膜工艺与缓冲层和刻蚀阻挡层的一道掩膜工艺合并进行,使得仅通过一次构图,同时形成了绝缘层、缓
CN110838468A
提供一村底基板
在衬底基板上依次形成刻蚀阻挡层和缓冲层
缓冲层上依次形成有源层的图案、第一栅极层的图案、第二栅极层的图案、层间介质层的图案和第一源漏极层的图案
在第一源漏极层上形成绝缘层
采用一次构图工艺,在弯折区域形成贯穿绝缘层、缓冲层和刻蚀阻挡层的第一镂空结构
S101
S102
S103
S104
S105
CN110838468A权利要求书1/2页
2
1.一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上依次形成刻蚀阻挡层和缓冲层;
在所述缓冲层上依次形成有源层的图案、第一栅极层的图案、第二栅极层的图案、层间介质层的图案和第一源漏极层的图案;
在所述第一源漏极层上形成绝缘层;
采用一次构图工艺,在弯折区域形成贯穿所述绝缘层、所述缓冲层和所述刻蚀阻挡层的第一镂空结构。
2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在形成有源层的图案之后,且在形成第一栅极层的图案之前,还包括:
在所述有源层上形成第一栅绝缘层。
3.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,在形成第一栅极层的图案之后,且在形成第二栅极层的图案之前,还包括:
在所述第一栅极层上形成第二栅绝缘层。
4.如权利要求3所述的制作方法,其特征在于,形成层间介质层的图案,具体包括:
采用一次构图工艺,在所述弯折区域形成贯穿所述层间介质层、所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层的第二镂空结构。
5.如权利要求4所述的制作方法,其特征在于,在采用一次构图工艺,在所述弯折区域形成贯穿所述层间介质层、所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层的第二镂空结构的同时,还包括:
在显示区域形成贯穿所述层间介质层、所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层的第三镂空结构。
6.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,采用一次构图工艺,在弯折区域形成贯穿所述绝缘层、所述缓冲层和所述刻蚀阻挡层的第一镂空结构,具体包括:
采用半色调掩膜板在所述绝缘层上形成在所述弯折区域具有镂空图案且在显示区域具有第一凹槽的光刻胶层;
对所述绝缘层、所述缓冲层、所述刻蚀阻挡层进行干法刻蚀,在所述弯折区域形成具有通孔的所述绝缘层和所述缓冲层,以及具有第二凹槽的所述刻蚀阻挡层;
对所述第一凹槽所在区域和所述通孔周围的所述光刻胶层进行灰化处理;
对所述刻蚀阻挡层和所述绝缘层进行干法刻蚀,形成贯穿所述绝缘层、所述缓冲层和所述刻蚀阻挡层的第一镂空结构,并暴露所述第一凹槽所在区域的所述第一源漏极层。
7.如权利要求1-6任一项所述的制作方法,其特征在于,采用一次构图工艺,在弯折区域形成贯穿所述绝缘层、所述缓冲层和所述刻蚀阻挡层的第一镂空结构之后,还包括:
在所述绝缘层上依次形成第一平坦层的图案、第二源漏极层的图案、第二平坦层的图案、阳极层的图案和像素界定层的图案。
8.一种采用如权利要求1-7任一项所述的制作方法制备的显示基板,其特征在于,包括:衬底基板,在所述衬底基板上依次设置的刻
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