CN110890361A 一种多端口低容电压浪涌保护芯片及其制作方法 （苏州晶讯科技股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110890361A

(43)申请公布日2020.03.17

(21)申请号201911341070.2

(22)申请日2019.12.23

(71)申请人苏州晶讯科技股份有限公司

地址215163江苏省苏州市高新区昆仑山

路189号2号楼2楼

申请人北京时代华诺科技有限公司

(72)发明人杨显精仇利民张守明戴剑吴月挺李洪朋俞鸿骥韩红岩

(74)专利代理机构苏州国诚专利代理有限公司32293

代理人

(51)Int.CI.

HO1LH01L

陈松

27/02(2006.01)21/8222(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图8页

(54)发明名称

一种多端口低容电压浪涌保护芯片及其制

作方法

(57)摘要

CN110890361A本发明提供了一种多端口低容电压浪涌保护芯片及其制作方法，其具有多端口的保护功能，整体泄流能力和稳定性好，保护响应速度快、应用范围广：其包括至少两个并排且相互反向设置的保护单元，包括：衬底，具有第一导电类型；基区，具有第二导电类型；第一高掺杂扩散区，具有第二导电类型；发射区，具有第一导电类型，发射区与基区之间形成短路结构；环形区，具有第一导电类型，环绕基区设置；高掺杂二次扩散区，具有第二导电类型，位于基区内且位于发射区的一侧；条形区，具有第一导电类型，位于环形区与发射区之间，且与环形区相接；第二高掺杂扩散

CN110890361A

上。

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CN110890361A权利要求书1/2页

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1.一种多端口低容电压浪涌保护芯片，其特征在于：其包括至少两个并排且相互反向设置的保护单元，所述保护单元包括：

衬底，具有第一导电类型；

基区，具有第二导电类型，从所述衬底上表面向下延伸进入所述衬底中；

第一高掺杂扩散区，具有第二导电类型，从所述衬底下表面向上延伸进入所述衬底中；

发射区，具有第一导电类型，从所述衬底上表面向下延伸进入所述基区，所述发射区与所述基区之间形成短路结构；

环形区，具有第一导电类型，环绕所述基区设置，且从所述衬底上表面向下延伸进入所述衬底中；

高掺杂二次扩散区，具有第二导电类型，位于所述基区内且位于所述发射区的一侧；

条形区，具有第一导电类型，位于所述环形区与所述发射区之间，且与所述环形区相接，从所述衬底上表面向下延伸进入所述衬底中；

第二高掺杂扩散区，具有第一导电类型，从所述衬底下表面向上延伸进入所述衬底中，所述第一高掺杂扩散区与所述第二高掺杂扩散区互补；

电极，设置于所述衬底上表面上；

其中，第一导电类型与第二导电类型互补。

2.根据权利要求1所述的一种多端口低容电压浪涌保护芯片，其特征在于：所述条形区、所述发射区、所述第一高掺杂扩散区在纵向上的中心线位于同一条纵向直线上。

3.根据权利要求1所述的一种多端口低容电压浪涌保护芯片，其特征在于：所述高掺杂二次扩散区从所述衬底上表面向下穿过所述基区延伸进入所述衬底中。

4.根据权利要求1所述的一种多端口低容电压浪涌保护芯片，其特征在于：在所述保护单元的四角上且位于所述保护单元的环形区上设置有欧姆接触孔，位于两个所述保护单元之间的欧姆接触孔横跨两个所述保护单元设置且通过金属相连。

5.根据权利要求1所述的一种多端口低容电压浪涌保护芯片，其特征在于：所述保护单元集成在同一衬底上。

6.根据权利要求1所述的一种多端口低容电压浪涌保护芯片，其特征在于：第一导电类型为N型，第二导电类型为P型；或者第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。

7.根据权利要求1所述的一种多端口低容电压浪涌保护芯片，其特征在于：所述衬底的厚度为170nm-230nm。

8.一种如权利要求1所述的多端口低容电压浪涌保护芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一导电类型的衬底，在衬底上划分至少两个并排且反向的保护单元，在每个保护单元上执行以下步骤：

于衬底上形成第二导电类型的基区，第二导电类型的基区从衬底上表面向下延伸进入衬底中；

于衬底下形成第二导电类型的第一高掺杂扩散区，第二导电类型的第一高掺杂扩散区从衬底下表面向上延伸进入衬底中；