CN110890422A 一种沟槽igbt及其制作方法 （江苏宏微科技股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110890422A

(43)申请公布日2020.03.17

(21)申请号201911214968.3

(22)申请日2019.12.02

(71)申请人江苏宏微科技股份有限公司

地址213022江苏省常州市新北区华山中

路18号

(72)发明人俞义长赵善麒

(74)专利代理机构常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231

代理人高姗

(51)Int.CI.

H01L29/739(2006.01)

H01L21/331(2006.01)

H01L29/06(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种沟槽IGBT及其制作方法

Bateemitter

Bateemitter8ateemitter

8ateemitter

gate

CN110890422A本发明涉及半导体领域，具体公开了一种沟槽IGBT及其制作方法，包括半导体衬底和IGBT元胞，所述IGBT元胞为对称结构，所述IGBT元胞包括两个真沟槽栅单元，两个所述真沟槽栅单元之间设置有至少两个假沟槽单元，两个所述假沟槽单元之间设置至少一个假沟槽栅单元，所述真沟槽栅单元和所述假沟槽栅单元连接栅极金属，所述假沟槽单元连接发射极金属。本发明可以通过

CN110890422A

CN110890422A权利要求书1/1页

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1.一种沟槽IGBT,包括半导体衬底和IGBT元胞，所述半导体衬底为N型衬底，其特征在于，所述IGBT元胞为对称结构，所述IGBT元胞包括两个真沟槽栅单元，两个所述真沟槽栅单元之间设置有至少两个假沟槽单元，两个所述假沟槽单元之间设置至少一个假沟槽栅单元，所述真沟槽栅单元和所述假沟槽栅单元连接栅极金属，所述假沟槽单元连接发射极金属。

2.一种沟槽IGBT,包括半导体衬底和IGBT元胞，所述半导体衬底为N型衬底，其特征在于，所述IGBT元胞为对称结构，所述IGBT元胞包括两个真沟槽栅单元，两个所述真沟槽栅单元之间设置有一个假沟槽栅单元，所述真沟槽栅单元和所述假沟槽栅单元连接栅极金属，所述发射极金属设置在真沟槽栅单元和所述假沟槽栅单元之间。

3.一种沟槽IGBT,包括半导体衬底和IGBT元胞，所述半导体衬底为N型衬底，其特征在于，所述IGBT元胞为对称结构，所述IGBT元胞包括两个真沟槽栅单元，两个所述真沟槽栅单元之间设置有一个假沟槽单元，所述真沟槽栅单元连接栅极金属，所述假沟槽单元连接发射极金属。

4.根据权利要求1、2或3所述的沟槽IGBT,其特征在于，相邻沟槽之间设置有第一掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂类型与所述半导体衬底的类型相反。

5.根据权利要求4所述的沟槽IGBT,其特征在于，所述真沟槽栅单元的两侧设置分别有与所述第一掺杂区的掺杂类型相反的第二掺杂区。

6.根据权利要求5所述的沟槽IGBT,其特征在于，所述发射极金属连接所述第一掺杂区和所述第二掺杂区。

7.一种沟槽IGBT制作方法，用于制作权利要求1-6任一项所述的沟槽IGBT,在半导体衬底上制作多个沟槽，在所述沟槽内沉积氧化层，然后沉积多晶硅层，接着将表面多余的多晶硅去除，其特征在于，包括：

在相邻两个所述沟槽之间注入推结，形成导电层；

在真沟槽栅单元的两侧注入推结，形成源区；

将真沟槽栅单元和假沟槽栅单元连接栅极金属，假沟槽单元连接发射极金属。

CN110890422A说明书1/4页

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一种沟槽IGBT及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及半导体领域，具体涉及一种沟槽IGBT及其制作方法。

背景技术

[0002]IGBT随着技术的升级，已经完成了诸多的更迭，如背面从厚片的PT型，过渡到薄片的NPT,再升级成最新的超薄片的FS场终止，可以大幅度的降低由于芯片厚度造成的器件热阻，正面从平面结构升级成沟槽型，再从普通型的双侧沟槽结构(图1所示)升级到注入增强型半侧沟道沟槽结构(图2所示),可以有效降低饱和压降Vcesat和静态损耗，但随着沟槽结