CN110759334A 一种石墨烯沟道结构及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN110759334A布日2020.02.07

(21)申请号201911244890.X

(22)申请日2019.12.06

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高科技

园区高斯路497号

(72)发明人朱建军康晓旭

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

代理人曹廷廷

(51)Int.CI.

C01B32/184(2017.01)

C01B32/186(2017.01)

权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发明名称

CN110759334A

CN110759334A

(57)摘要

本发明提供一种石墨烯沟道结构及其制作方法，在硅衬底上的热氧化层的沟槽中形成铜填充层，以及，在所述铜填充层上沉积镍薄膜层后，在所述镍薄膜层中加入碳材料，即而执行退火工艺，以使所述镍薄膜层中的所述碳材料析出在所述镍薄膜层和所述铜填充层之间，形成石墨烯沟道层，之后再去除所述镍薄膜层和所述铜填充层，以形成所述石墨烯沟道结构。通过采用非转移式的石墨烯薄膜生长方法，可有效消除石墨烯薄膜转移工艺中引入的各种污染、缺陷及损伤，且悬空的石墨烯沟道结构，保护了石墨烯薄膜的表面质量，不会被粘附的各种介质层损伤。

提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上沉积一热氧化层

选择性刻蚀所述热氧化层，并停止在所述半导体衬底上，以形成一沟槽

在所述沟槽中形成一铜填充层，所述铜填充层填满所述沟槽

沉积一镍薄膜层，所述镍薄膜层覆盖所述钢填充层的表面

在所述镍薄膜层中加入碳材料，进而执行退火工艺，以使所述镍薄膜层中的所述碳材料析出在所述镍薄膜层和所述铜填

充层之间，形成石墨烯沟道层

去除所述镍薄膜层和所述铜填充层，以形成所述石墨烯沟道结构

S100

S200

S300

S500

S600

CN110759334A权利要求书1/2页

2

1.一种石墨烯沟道结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上沉积一热氧化层；

选择性刻蚀所述热氧化层，并停止在所述半导体衬底上，以形成一沟槽；

在所述沟槽中形成一铜填充层，所述铜填充层填满所述沟槽；

沉积一镍薄膜层，所述镍薄膜层覆盖所述铜填充层的表面；

在所述镍薄膜层中加入碳材料，进而执行退火工艺，以使所述镍薄膜层中的所述碳材料析出在所述镍薄膜层和所述铜填充层之间，形成石墨烯沟道层；

去除所述镍薄膜层和所述铜填充层，以形成所述石墨烯沟道结构。

2.如权利要求1所述的石墨烯沟道结构的制作方法，其特征在于，所述碳材料通过在所述镍薄膜层上沉积一碳薄膜层的方式加入，或者，通过离子注入的方式注入；若所述碳材料通过在所述镍薄膜层上沉积一碳薄膜层的方式加入，则在形成所述石墨烯沟道层后，所述石墨烯沟道结构的制作方法还包括：去除所述碳薄膜层。

3.如权利要求2所述的石墨烯沟道结构的制作方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺沉积所述碳薄膜层，所述化学气相沉积工艺所采用的气体为C?H?或CH?、Ar以及H?,温度为400℃~800℃。

4.如权利要求2所述的石墨烯沟道结构的制作方法，其特征在于，所述碳薄膜层的厚度为100A～500A。

5.如权利要求2所述的石墨烯沟道结构的制作方法，其特征在于，采用等离子刻蚀工艺去除所述碳薄膜层，所述等离子刻蚀工艺所采用的气体为02。

6.如权利要求1所述的石墨烯沟道结构的制作方法，其特征在于，

在沉积所述镍薄膜层之前，所述石墨烯沟道结构的制作方法还包括：在所述铜填充层和未被刻蚀的所述热氧化层的表面沉积一非晶硅薄膜层，以及，选择性刻蚀所述非晶硅薄膜层，以使所述铜填充层暴露出来；

所述镍薄膜层覆盖所述铜填充层的表面时，还延伸至覆盖所述非晶硅薄膜层的表面；在沉积所述镍薄膜层之后，所述石墨烯沟道结构的制作方法还包括：执行热处理，以使所述非晶硅薄膜层与所述镍薄膜层的部分镍发生反应而转化为镍硅层。

7.如权利要求1所述的石墨烯沟道结构的制作方法，其特征在于，在所述沟槽中形成所述铜填充层的步骤包括：

在所述沟槽内沉积一阻挡层并延伸到所述热氧化层的表面；

在所述阻挡层上形成一铜籽晶层；

在所述铜