3D堆叠架构突破传统制程物理极限汇报人:***(职务/职称)日期:2026年**月**日
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3D堆叠技术概述01
技术定义与发展历程3D堆叠技术是通过硅通孔(TSV)和混合键合等工艺,将多个芯片或功能层在垂直方向堆叠集成的半导体技术,其核心在于突破平面布局的物理限制,实现类似芯片摩天楼的三维结构。垂直集成架构该技术最初应用于MEMS和影像传感器领域,随着AI和高性能计算需求爆发,逐步发展为逻
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