硅中代位碳含量红外吸收测试方法标准立项修订与发展报告.docxVIP

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《硅中代位碳含量红外吸收测试方法》标准修订与发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheRevisionoftheStandardforTestMethodofSubstitutionalAtomicCarbonContentinSiliconbyInfraredAbsorption

摘要

本报告旨在系统阐述国家标准《硅中代位碳含量红外吸收测试方法》的修订背景、核心内容及其对半导体产业发展的战略意义。随着集成电路技术节点不断微缩，对硅单晶材料的纯度与缺陷控制提出了近乎苛刻的要求。碳作为硅中一种关键的代位杂质，其含量直接影响器件的电学特性与可靠性。原标准GB/T1558-2009在术语定义、测试细节和适用范围等方面已难以完全满足当前产业对高精度、高一致性的检测需求。本次修订以GB/T1558-2009为基础，深度融合了国际半导体设备与材料协会（SEMI）的先进标准SEMIMF1391-1107等，对标准的适用范围、术语定义、方法原理、干扰因素、试样制备、精密度及试验报告等进行了全面优化与细化。重点增加了碳吸收谱基线选取、半高宽确定、测试环境条件控制以及数据修约规则等关键技术内容，并引入了对多晶硅材料的适用性。修订后的标准显著提升了测试方法的准确性、可操作性与国际接轨程度，为硅材料的生产工艺控制、质量验收及前沿研发提供了统一、权威的技术依据，对提升我国半导体产业链基础材料的自主可控能力和国际竞争力具有重要的推动作用。

关键词：

硅单晶；代位碳；红外吸收光谱；标准修订；半导体材料；检测方法；质量控制

MonocrystallineSilicon;SubstitutionalCarbon;InfraredAbsorptionSpectroscopy;StandardRevision;SemiconductorMaterials;TestMethod;QualityControl

正文

一、修订背景与目的意义

单晶硅是构筑现代信息社会基石——大规模集成电路的核心基础材料。随着摩尔定律的持续推进，集成电路的特征尺寸不断缩小，对硅衬底材料的晶体完美度与杂质控制水平提出了前所未有的高要求。材料中任何微量的有害杂质都可能成为器件性能退化乃至失效的诱因。

在众多杂质中，碳原子因其原子半径与硅相近，易于以代位形式存在于硅晶格中。尽管其浓度通常低于氧杂质一个数量级，但代位碳的存在会与硅中的点缺陷（如空位）相互作用，形成复合体，直接影响硅片的机械强度、内吸杂能力，并最终影响器件的软击穿特性、漏电流和长期可靠性。在硅单晶的制备过程中，原材料（如多晶硅、石英坩埚）及生长环境（如保护气氛）均是碳杂质可能引入的源头。因此，实现对硅中代位碳含量的精确、快速检测，是控制单晶硅质量、提升器件成品率的关键环节。

红外吸收光谱法因其非破坏性、高灵敏度及对特定化学键/晶格振动的特征响应，成为国际半导体产业界测定硅中代位碳含量的首选和广泛应用的方法。我国现行国家标准GB/T1558-2009《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》自发布以来，为行业提供了重要的技术指导。然而，随着检测技术的进步和产业需求的提升，原标准在实践应用中暴露出一些不足：首先，部分术语定义（如“基线”）不够明确，易导致理解分歧；其次，对于测试环境、基线选取方法、半高宽确定等影响测试准确性的关键操作细节规定较为笼统；再者，原标准主要针对单晶硅，对上游多晶硅原料的碳含量检测适用性未作明确说明；最后，与国际主流SEMI标准在技术细节上存在差异，不利于国际贸易与技术交流。

因此，本次标准修订的核心目的在于：通过系统性地参照国际先进标准（如ASTME131,SEMIMF1391,SEMIMF1723），对原标准进行完善、细化和补充。修订旨在明确术语、细化方法原理与操作步骤、规范测试环境与数据处理规则、扩展适用范围，从而最大限度地减少人为和环境因素引入的测量误差，全面提升硅中代位碳含量测试的准确性、重复性与再现性。这不仅为硅材料的生产工艺优化、质量评估和产品验收提供了更可靠的技术标尺，也对推动我国半导体材料检测技术的标准化、国际化，增强产业链的协同效率和整体竞争力具有深远的意义。

二、范围与主要技术内容修订要点

本次修订以GB/T1558-2009为基线，主要参考SEMIMF1391-1107《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》，对标准进行了系统性升级。修订内容涵盖从适用范围到试验报告的各个环节，主要技术变动体现在以下几个方面：

1.扩展适用范围：明确将标准适用对象从单晶硅延伸至多晶硅。修订后标准规定，本文件适用于硅单晶中代位碳含量的测定，同时也适用于按照GB/T